Name: IMBG40R015M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG40R015M2HXTMA1TR-ND
Price: 13.115 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IMBG40R015M2HXTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IMBG40R015M2HXTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IMBG40R015M2HXTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IMBG40R015M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IMBG40R015M2HXTMA1
Beschreibung	SIC-MOS
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 400 V 11,7A (Ta), 111A (Tc) 3,8W (Ta), 341W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-7-11
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IMBG40R015M2HXTMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	400 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	11,7A (Ta), 111A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	19,1mOhm bei 27,1A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,6V bei 9,7mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	62 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+23V, -7V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2730 pF @ 200 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,8W (Ta), 341W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO263-7-11
Gehäuse / Hülle	TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA