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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent

IDH10G65C5XKSA2
Infineon Technologies
Vorrätig: 393
Stückpreis : € 3,84000
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent

FFSP0865B
onsemi
Vorrätig: 730
Stückpreis : € 3,39000
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent

FFSP1065B-F085
onsemi
Vorrätig: 772
Stückpreis : € 3,75000
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent

PCDP1065G1_T0_00001
Panjit International Inc.
Vorrätig: 1 478
Stückpreis : € 3,52000
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent

S3D10065A
SMC Diode Solutions
Vorrätig: 1 914
Stückpreis : € 1,74000
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent

SICR10650
SMC Diode Solutions
Vorrätig: 168
Stückpreis : € 2,67000
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent

UJ3D06510TS
onsemi
Vorrätig: 11 657
Stückpreis : € 3,89000
Datenblatt
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Dioden 650 V 9A Durchkontaktierung PG-TO220-2-2
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IDH09G65C5XKSA1

DigiKey-Teilenr.
IDH09G65C5XKSA1-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
IDH09G65C5XKSA1
Beschreibung
DIODE SIL CARB 650V 9A PGTO2202
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Dioden 650 V 9A Durchkontaktierung PG-TO220-2-2
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
CoolSiC™+
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Bei Digi-Key nicht mehr erhältlich
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
650 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
9A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.7 V @ 9 A
Geschwindigkeit
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
310 µA @ 650 V
Kapazität bei Vr, F
270pF bei 1V, 1MHz
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-220-2
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-2-2
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C bis 175°C
Basis-Produktnummer
IDH09G65
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