Name: IAUZN04S7L030ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUZN04S7L030ATMA1TR-ND
Price: 1.342 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IAUZN04S7L030ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IAUZN04S7L030ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IAUZN04S7L030ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IAUZN04S7L030ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IAUZN04S7L030ATMA1
Beschreibung	MOSFET_(20V 40V)
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 100 A (Tj) 58W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSDSON-8-44
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	100 A (Tj)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3,05mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,8V bei 15µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1578 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	58W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TSDSON-8-44
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN