Name: IAUC60N10S5L110ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUC60N10S5L110ATMA1TR-ND
Price: 1.8666 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IAUC60N10S5L110ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IAUC60N10S5L110ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IAUC60N10S5L110ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IAUC60N10S5L110ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IAUC60N10S5L110ATMA1
Beschreibung	MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 60 A (Tc) 88W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-33
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IAUC60N10S5L110ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	60 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	11mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,2V bei 30µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	24.1 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1665 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	88W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8-33
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN