Name: GS66506TMRXUSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-GS66506TMRXUSA1TR-ND
Price: 16.8848 EUR
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

GS66506TMRXUSA1
DigiKey-Teilenr.	448-GS66506TMRXUSA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-GS66506TMRXUSA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-GS66506TMRXUSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	GS66506TMRXUSA1
Beschreibung	GS66506T-MR
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 22,5 A (Tc) Oberflächenmontage
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Nur verfügbar bis
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	GaNFET (Galliumnitrid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	22,5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	90mOhm bei 6,7A, 6V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,3V bei 5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	4.4 nC @ 6 V
Vgs (Max.)	+7V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	195 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	-
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	-
Gehäuse / Hülle	4-SMD, ohne Anschlüsse