Name: GS0650116LRMRXUSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-GS0650116LRMRXUSA1TR-ND
Price: 5.307 EUR
Availability: OutOfStock

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Infineon Technologies

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GS0650116LRMRXUSA1
DigiKey-Teilenr.	448-GS0650116LRMRXUSA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-GS0650116LRMRXUSA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-GS0650116LRMRXUSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	GS0650116LRMRXUSA1
Beschreibung	GS-065-011-6-LR-MR
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 700 V 12,2 A (Tc) Oberflächenmontage 8-PDFN (8x8)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Nur verfügbar bis
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	GaNFET (Galliumnitrid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	700 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12,2 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	180mOhm bei 3,2A, 6V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,6V bei 2,4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	2.2 nC @ 6 V
Vgs (Max.)	+7V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	70 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	-
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-PDFN (8x8)
Gehäuse / Hülle	8-VDFN mit freiliegendem Pad