MOSFETs - Arrays 650V 35A Chassisbefestigung Modul
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F435MR07W1D7S8B11ABPSA1

DigiKey-Teilenr.
448-F435MR07W1D7S8B11ABPSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
F435MR07W1D7S8B11ABPSA1
Beschreibung
MOSFET 4N-CH 650V 35A MODULE
Standardlieferzeit des Herstellers
26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 650V 35A Chassisbefestigung Modul
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Infineon Technologies
Serie
Verpackung
Tablett
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration
4 N-Kanal (Vollbrücke)
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
35A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
39,4mOhm bei 35A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,45V bei 1,74mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
141nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
6950pF bei 400V
Leistung - Max.
-
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle
Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten
Modul
Basis-Produktnummer
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