Neues Produkt
F413MXTR12C1M2QH11BPSA1
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F413MXTR12C1M2QH11BPSA1

DigiKey-Teilenr.
448-F413MXTR12C1M2QH11BPSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
F413MXTR12C1M2QH11BPSA1
Beschreibung
F413MXTR12C1M2QH11BPSA1
Standardlieferzeit des Herstellers
12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 60A (Tj) Chassisbefestigung
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Infineon Technologies
Serie
Verpackung
Tablett
Status der Komponente
Aktiv
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
4 N-Kanal (Vollbrücke)
FET-Merkmal
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
60A (Tj)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
12,5mOhm bei 50A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
5,15V bei 22mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
158nC bei 18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4800pF bei 800V
Leistung - Max.
-
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Chassisbefestigung
Gehäuse / Hülle
Modul
Gehäusetyp vom Lieferanten
-
Fragen und Antworten zum Produkt

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30€ 99,32567€ 2 979,77
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