Name: GC11N65D5
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GC11N65D5TR-ND
Price: 2.5986 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

GC11N65D5
DigiKey-Teilenr.	3141-GC11N65D5TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 3141-GC11N65D5CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 3141-GC11N65D5DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Goford Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	GC11N65D5
Beschreibung	N650V, 11A,RD<360M@10V,VTH2.5V~4
Standardlieferzeit des Herstellers	8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 11 A (Tc) 78W (Tc) Oberflächenmontage 8-DFN (4,9x5,75)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Goford Semiconductor
Serie	SuperJunction
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	11 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	360mOhm bei 5,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	901 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	78W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-DFN (4,9x5,75)
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN