Name: G2K6P25T
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G2K6P25T-ND
Price: 2.6718 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

G2K6P25T
DigiKey-Teilenr.	3141-G2K6P25T-ND
Hersteller	Goford Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	G2K6P25T
Beschreibung	MOSFET P-CH 250V 28A 300W TO-220
Standardlieferzeit des Herstellers	8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 250 V 28 A (Tc) 300W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Goford Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	250 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	28 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	260mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	77 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2984 pF @ 125 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	300W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220
Gehäuse / Hülle	TO-220-3

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
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10	€ 1,40600	€ 14,06
100	€ 0,96230	€ 96,23
500	€ 0,77242	€ 386,21
1 000	€ 0,71137	€ 711,37
2 000	€ 0,66003	€ 1 320,06
5 000	€ 0,62618	€ 3 130,90

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