Name: G2K2P10D3E
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 4822-G2K2P10D3ETR-ND
Price: 0.15279 EUR
Availability: InStock

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G2K2P10D3E
DigiKey-Teilenr.	4822-G2K2P10D3ETR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Goford Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	G2K2P10D3E
Beschreibung	MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3-
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 100 V 10 A (Tc) 31W (Tc) Oberflächenmontage 8-DFN (3,15x3,05)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Goford Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	10 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	210mOhm bei -6A, -10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	33 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1668 pF @ -50 V
Verlustleistung (max.)	31W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-DFN (3,15x3,05)
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN