Name: G3R350MT12D
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-G3R350MT12D-ND
Price: 4.9898 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

G3R350MT12D
DigiKey-Teilenr.	1242-G3R350MT12D-ND
Hersteller	GeneSiC Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	G3R350MT12D
Beschreibung	SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 11 A (Tc) 74W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	GeneSiC Semiconductor
Serie	G3R™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	11 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	420mOhm bei 4A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,69V bei 2mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	12 nC @ 15 V
Vgs (Max.)	±15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	334 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	74W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-3
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	G3R350

Fragen und Antworten zum Produkt

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 4,09000	€ 4,09
10	€ 3,63600	€ 36,36
25	€ 3,46360	€ 86,59
100	€ 3,22160	€ 322,16
250	€ 3,07476	€ 768,69
500	€ 2,97114	€ 1 485,57
1 000	€ 2,85885	€ 2 858,85
2 500	€ 2,72931	€ 6 823,27

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