TO-263-8
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
TO-263-8
TO-263-7

G3R160MT17J

DigiKey-Teilenr.
1242-G3R160MT17J-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
G3R160MT17J
Beschreibung
SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1700 V 18 A (Tc) 187W (Tc) Oberflächenmontage TO-263-7
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
G3R160MT17J Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1700 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
224mOhm bei 10A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,7V bei 5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
29 nC @ 15 V
Vgs (Max.)
±15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
854 pF @ 1000 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
187W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263-7
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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