Name: G3F65MT12K
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-G3F65MT12K-ND
Price: 12.3098 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

G3F65MT12K
DigiKey-Teilenr.	1242-G3F65MT12K-ND
Hersteller	GeneSiC Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	G3F65MT12K
Beschreibung	1200V 65M TO-247-4 G3F SIC MOSFE
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 35 A (Tc) 153W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	GeneSiC Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiC (Siliziumkarbid-Sperrschichttransistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	35 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	86mOhm bei 15A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,3V bei 10mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	55 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1298 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	153W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-4
Gehäuse / Hülle	TO-247-4

Fragen und Antworten zum Produkt

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10	€ 7,00200	€ 70,02
100	€ 5,26040	€ 526,04
500	€ 4,86910	€ 2 434,55

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