Name: G3F18MT12J-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 1242-G3F18MT12J-TR-ND
Price: 29.829 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

G3F18MT12J-TR
DigiKey-Teilenr.	1242-G3F18MT12J-TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1242-G3F18MT12J-TRCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 1242-G3F18MT12J-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	GeneSiC Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	G3F18MT12J-TR
Beschreibung	1200V 18M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 122A (Tc) 526W (Tc) Oberflächenmontage TO-263-7
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	GeneSiC Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiC (Siliziumkarbid-Sperrschichttransistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	122A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	25mOhm bei 45A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,3V bei 35mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	212 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4962 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	526W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263-7
Gehäuse / Hülle	TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA