Name: ZTX857STZ
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZTX857SDITB-ND
Price: 1.891 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

ZTX857STZ
DigiKey-Teilenr.	ZTX857SDICT-ND - Gurtabschnitt (CT) ZTX857SDITB-ND - Band & Box (TB)
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	ZTX857STZ
Beschreibung	TRANS NPN 300V 3A E-LINE
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NPN 300 V 3 A 80MHz 1.2 W Durchkontaktierung E-Line (TO-92-kompatibel)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren Bipolar (BJT) Einzelne bipolare transistoren
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurtabschnitt (CT) Band & Box (TB)
Status der Komponente	Aktiv
Transistor-Typ	NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	3 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	300 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	250mV bei 600mA, 3A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	100 bei 500mA, 10V
Leistung - Max.	1.2 W
Frequenz - Übergang	80MHz
Betriebstemperatur	-55°C bis 200°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	E-Line-3, geformte Anschlüsse
Gehäusetyp vom Lieferanten	E-Line (TO-92-kompatibel)
Basis-Produktnummer	ZTX857