Name: DMWSH120H90SM4Q
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMWSH120H90SM4Q-ND
Price: 14.1032 EUR
Availability: InStock

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DMWSH120H90SM4Q
DigiKey-Teilenr.	31-DMWSH120H90SM4Q-ND
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMWSH120H90SM4Q
Beschreibung	SICFET N-CH 1200V TO-247
Standardlieferzeit des Herstellers	40 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 40 A (Tc) 235W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	40 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	97.5mOhm bei 20A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	47.6 nC @ 15 V
Vgs (Max.)	+19V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1112 pF @ 1000 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	235W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-4
Gehäuse / Hülle	TO-247-4

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