Name: DMTH6004SCT
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH6004SCTDI-5-ND
Price: 1.35225 EUR
Availability: OutOfStock

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N-Kanal 60 V 100 A (Tc) 2,8W (Ta), 136W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMTH6004SCT
DigiKey-Teilenr.	DMTH6004SCTDI-5-ND
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMTH6004SCT
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 100 A (Tc) 2,8W (Ta), 136W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	100 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3,65mOhm bei 100A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	95.4 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4556 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,8W (Ta), 136W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	DMTH6004

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