DMP58D0LFB-7 Diodes Incorporated | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

DMP58D0LFB-7
DigiKey-Teilenr.	DMP58D0LFB-7DITR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) DMP58D0LFB-7DICT-ND - Gurtabschnitt (CT)
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMP58D0LFB-7
Beschreibung	MOSFET P-CH 50V 180MA 3DFN
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 50 V 180mA (Ta) 470mW (Ta) Oberflächenmontage X1-DFN1006-3
EDA/CAD-Modelle	DMP58D0LFB-7 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	50 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	180mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	2,5V, 5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	8Ohm bei 100mA, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,1V bei 250µA
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	27 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	470mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	X1-DFN1006-3
Gehäuse / Hülle	3-UFDFN
Basis-Produktnummer	DMP58