Name: DMP2006UFGQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMP2006UFGQ-13TR-ND
Price: 1.5372 EUR
Availability: InStock

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DMP2006UFGQ-13
DigiKey-Teilenr.	31-DMP2006UFGQ-13TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMP2006UFGQ-13CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMP2006UFGQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMP2006UFGQ-13
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V PWRDI3333
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 17,5 A (Ta), 40 A (Tc) 2,3W (Ta), 41W (Tc) Oberflächenmontage POWERDI3333-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	17,5 A (Ta), 40 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	5,5mOhm bei 15A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	200 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	7500 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,3W (Ta), 41W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	POWERDI3333-8
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer	DMP2006