Name: DMP1007UCB9-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMP1007UCB9-7TR-ND
Price: 1.2688 EUR
Availability: InStock

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DMP1007UCB9-7
DigiKey-Teilenr.	31-DMP1007UCB9-7TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 31-DMP1007UCB9-7CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 31-DMP1007UCB9-7DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMP1007UCB9-7
Beschreibung	MOSFET P-CH 8V 13.2A U-WLB1515-9
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 8 V 13,2 A (Ta) 840mW (Ta) Oberflächenmontage U-WLB1515-9 (Typ C)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	8 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	13,2 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	2,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	5,7mOhm bei 2A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	8.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±6V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	900 pF @ 4 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	840mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	U-WLB1515-9 (Typ C)
Gehäuse / Hülle	9-UFBGA, WLBGA
Basis-Produktnummer	DMP1007