Name: DMN3061SVTQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN3061SVTQ-7-ND
Price: 0.5002 EUR
Availability: InStock

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DMN3061SVTQ-7
DigiKey-Teilenr.	31-DMN3061SVTQ-7-ND
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMN3061SVTQ-7
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 3.4A TSOT26
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 3,4 A (Ta) 880mW (Ta) Oberflächenmontage TSOT-26
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	3,4 A (Ta)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	60mOhm bei 3,1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,8V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	6,6nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	278pF bei 15V
Leistung - Max.	880mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
Gehäusetyp vom Lieferanten	TSOT-26
Basis-Produktnummer	DMN3061

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