Name: DMN2991UFB4-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN2991UFB4-7B-ND
Price: 0.2684 EUR
Availability: InStock

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DMN2991UFB4-7B
DigiKey-Teilenr.	31-DMN2991UFB4-7B-ND
Hersteller	Diodes Incorporated
Hersteller-Teilenummer	DMN2991UFB4-7B
Beschreibung	MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 20 V 500mA (Ta) 360mW (Ta) Oberflächenmontage X2-DFN1006-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Diodes Incorporated
Serie	-
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	500mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,8V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	990mOhm bei 100mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	0.28 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	14.6 pF @ 16 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	360mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	X2-DFN1006-3
Gehäuse / Hülle	3-XFDFN
Basis-Produktnummer	DMN2991

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