Name: CGD65B130S2-T13
Brand: Cambridge GaN Devices
SKU: 4768-CGD65B130S2-T13TR-ND
Price: 7.6128 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

CGD65B130S2-T13
DigiKey-Teilenr.	4768-CGD65B130S2-T13TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 4768-CGD65B130S2-T13CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 4768-CGD65B130S2-T13DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Cambridge GaN Devices
Hersteller-Teilenummer	CGD65B130S2-T13
Beschreibung	650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	650 V 12 A (Tc) Oberflächenmontage 8-DFN (5x6)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Cambridge GaN Devices
Serie	ICeGaN™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	-
Technologie	GaNFET (Galliumnitrid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	9V, 20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	182mOhm bei 900mA, 12V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,2V bei 4,2mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	2.3 nC @ 12 V
Vgs (Max.)	+20V, -1V
FET-Merkmal	Strommessung
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-DFN (5x6)
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN