Name: AMIB144N12N3G
Brand: Analog Power Inc.
SKU: 5318-AMIB144N12N3G-ND
Price: 1.586 EUR
Availability: InStock

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AMIB144N12N3G
DigiKey-Teilenr.	5318-AMIB144N12N3G-ND
Hersteller	Analog Power Inc.
Hersteller-Teilenummer	AMIB144N12N3G
Beschreibung	MOSFET N-CH 120V 120A TO-263
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 120 V 120 A (Tc) 300W (Tc) Oberflächenmontage TO-263
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Analog Power Inc.
Serie	-
Verpackung	Lose im Beutel
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	120 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	120 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	9,6mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	30 nC @ 6.5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2318 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	300W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB