Das kontinuierliche Wachstum des Datenverkehrs - angetrieben von Smartphones, Wearables und Anwendungen wie virtuelle Realität und Internet der Dinge (IoT) - führt zu einer wachsenden Zahl von Highspeed-Schnittstellen, die in der Regel Schutz gegen ESD-Ereignisse benötigen. Um diesem Bedarf gerecht zu werden, hat Toshiba Elektronics Europe neue ESD-Schutz-Dioden basierend auf der 4. Generation ihres ESD-Diodenarray-Verfahrens (EAP-IV) herausgebracht, das Toshibas proprietäre Snapback-Technologie
nutzt. Die Komponenten DF2B5M4SL, DF2B6M4SL, DF10G5M4N und DF10G6M4N bieten Schutz für Highspeed-Schnittstellen einschließlich USB-3.1-Anwendungen. Eine Auswahl von Betriebsspannungen (3,6 und 5,5 V) und Gehäusen (SOD962 und DFN10) bietet flexible Optionen für die Implementierung von ESD-Schutz in einer Vielzahl von Designs.
Dank des neuen Verfahrens von Toshiba liefern die vier Bausteine gleichzeitig niedrige Kapazität, niedrigen dynamischen Widerstand und hohe ESD-Belastbarkeit. Minimale Signalverzerrung von Highspeed-Signalen ist garantiert durch die extrem niedrige Kapazität von 0,2 pF, und ein typischer dynamischer Widerstand von RDYN= 0,5 Ω sorgt für niedrige Klemmspannungen. Hoher ESD-Schutz ist gegeben, Schutz vor elektrostatischen Entladungsspannungen von ±20 kV und höher gemäß IEC61000-4-2 ist garantiert.
Die DF2BxM4SL-Komponenten sind besonders geeignet für die Montage auf Platinen mit hoher Bauteildichte, da das SOD-962-Gehäuse nur eine Grundfläche von 0,62 x 0,32 mm erfordert und in der Nähe von ICs, die ESD-Schutz benötigen, platziert werden kann. Bei DF10GxM4N-Typen kann das DFN10-Gehäuse einfach auf einer 4-Bit-Bus-Leiterbahn platziert werden. Dieses Flow-through-Design unterstützt einfaches Bus-Routing auf der Platine, da keine zusätzliche Stichleitungen für die Verbindung der einzelnen TVS-Dioden benötigt werden.
Toshiba bietet außerdem eine Auswahl von kostengünstigen ESD-Dioden für weniger anspruchsvolle Anwendungen an, von schnellen USB- und HDMI-Anschlüssen zu Audio-Ports und Drucktastern.
| Merkmale (am Beispiel von DF2B6M4SL) |
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- (Luft-/Kontakt-)Entladung: ±20 kV/±20 kV gemäß IEC61000-4-2
- Niedriger dynamischer Widerstand: RDYN = 0,5 Ω
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- Geringe Kapazität: CT = 0,2 pF
- Kleines SOD-962-Gehäuse: 0,32 x 0,62 mm
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Anwendungen
- Verbraucherelektronik
- Mobiltelefone
- Am Körper getragene Elektronik (Wearables)
- Router und Hubs
- Batteriebetriebene Elektronik
- Internet der Dinge (IoT)
- USB 2.0/USB 3.0/USB Typ-C™-Ports
- HDMI-Ports
- HDMI 2.0-Ports
- Ethernet-Anschlüsse
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Das kontinuierliche Wachstum des Datenverkehrs - angetrieben von Smartphones, Wearables und Anwendungen wie virtuelle Realität und Internet der Dinge (IoT) - führt zu einer wachsenden Zahl von Highspeed-Schnittstellen, die in der Regel Schutz gegen ESD-Ereignisse benötigen. Um diesem Bedarf gerecht zu werden, hat Toshiba Elektronics Europe neue ESD-Schutz-Dioden basierend auf der 4. Generation ihres ESD-Diodenarray-Verfahrens (EAP-IV) herausgebracht, das Toshibas proprietäre Snapback-Technologie
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