Linear- und Logiklösungen

Little-Logic

Little-Logic-Bausteine von Texas Instruments (TI) sind die Bauteile, die Ihnen helfen, Ihr Design-Puzzle zu vervollständigen und auf den heutigen Märkten zu bestehen.

• Kleinere Bauteile, kürzere Markteinführungszeit
• Viele Bauteile, One-Stop-Auswahl
• Jedes Bauteil zu jeder Zeit
• Bessere Bauteile, kundenzentriert

SN74AUP1G06DRYR

Einfacher energiesparender Inverterpuffer/-treiber mit Open-Drain-Ausgängen

Für weitere Informationen hier klicken.

• Verfügbar im Texas Instruments NanoStar™-Gehäuse
• Niedriger statischer Energieverbrauch, maximal (I_CC = 0,9 µA max.)
• Niedriger dynamischer Energieverbrauch (C_pd = 1 pF typ. bei 3,3 V)
• Niedrige Eingangskapazität (C_i = 1,5 pF typ.)
• Geringes Rauschen mit Überschwingen und Unterschwingen von <10 % der V_CC
• I_off unterstützt den partiellen Abschaltbetrieb
• Die Eingangshysterese ermöglicht einen langsamen Eingangsübergang und einen besseren Schutz gegen Schaltrauschen am Eingang (V_hys = 250 mV typ. bei 3,3 V)
• Großer V_CC-Betriebsbereich: 0,8 V bis 3,6 V
• Optimiert für 3,3-V-Betrieb
• 3,6-V-E/A-Toleranz für den Betrieb im Mixed-Mode
• t_pd = 3,6 ns max. bei 3,3 V
• Geeignet für Punkt-zu-Punkt-Anwendungen
• Latch-Up-Leistung übersteigt 100 mA gemäß JESD 78, Klasse II
• ESD-Schutz getestet gemäß JESD 22
  • 2000 V Menschmodell (A114-B, Klasse II)
  • 1000 V Geräteentladungsmodell (C101)

SN74AUP1G07DRYR

Einfacher energiesparender Puffer/Treiber mit Open-Drain-Ausgängen

Für weitere Informationen hier klicken.

• Verfügbar im Texas Instruments NanoStar™-Gehäuse
• Niedriger statischer Energieverbrauch, (I_CC = 0,9 µA max.)
• Niedriger dynamischer Energieverbrauch (C_pd = 1 pF typ. bei 3,3 V)
• Niedrige Eingangskapazität (C_i = 1,5 pF typ.)
• Geringes Rauschen mit Überschwingen und Unterschwingen von <10 % der V_CC
• I_off unterstützt Betrieb im partiellen Ruhemodus.
• Die Eingangshysterese ermöglicht einen langsamen Eingangsübergang und einen besseren Schutz gegen Schaltrauschen am Eingang (V_hys = 250 mV typ. bei 3,3 V)
• Großer V_CC-Betriebsbereich: 0,8 V bis 3,6 V
• Optimiert für 3,3-V-Betrieb
• 3,6-V-E/A-Toleranz für den Betrieb im Mixed-Mode
• t_pd = 3,3 ns max. bei 3,3 V
• Geeignet für Punkt-zu-Punkt-Anwendungen
• Latch-Up-Leistung übersteigt 100 mA gemäß JESD 78, Klasse II
• ESD-Schutz getestet gemäß JESD 22
  • 2000 V Menschmodell (A114-B, Klasse II)
  • 1000 V Geräteentladungsmodell (C101)

SN74AUP1G80DRYR

Einf. D-Flip-Flop, Low-Power und positive Flankensteuerung

Für weitere Informationen hier klicken.

• Verfügbar im Texas Instruments NanoStar™-Gehäuse
• Niedriger statischer Energieverbrauch, (I_CC = 0.9 µA max.)
• Niedriger dynamischer Energieverbrauch (C_pd = 4,3 pF typ. bei 3,3 V)
• Niedrige Eingangskapazität (C_i = 1,5 pF typ.)
• Geringes Rauschen mit Überschwingen und Unterschwingen von <10 % der V_CC
• I_off unterstützt Betrieb im partiellen Ruhemodus.
• Die Eingangshysterese ermöglicht einen langsamen Eingangsübergang und einen besseren Schutz gegen Schaltrauschen am Eingang (Vhys = 250 mV typ. bei 3,3 V)
• Großer V_CC-Betriebsbereich: 0,8 V bis 3,6 V
• Optimiert für 3,3-V-Betrieb
• 3,6-V-E/A-Toleranz für den Betrieb im Mixed-Mode
• t_pd = 4.4 ns max. bei 3,3 V
• Geeignet für Punkt-zu-Punkt-Anwendungen
• Latch-Up-Leistung übersteigt 100 mA gemäß JESD 78, Klasse II
• ESD-Schutz getestet gemäß JESD 22
  • 2000 V Menschmodell (A114-B, Klasse II)
  • 1000 V Geräteentladungsmodell (C101)

SN74AUP1G00DSFR

Einzelnes Positiv-NAND-Gate, Low-Power mit 2 Eingängen

Für weitere Informationen hier klicken.

• Verfügbar im Texas Instruments NanoStar™-Gehäuse
• Niedriger statischer Energieverbrauch, (I_CC = 0.9 µA max.)
• Niedriger dynamischer Energieverbrauch (C_pd = 4 pF typ. bei 3,3 V)
• Niedrige Eingangskapazität (C_i = 1.5 pF typ.)
• Geringes Rauschen mit Überschwingen und Unterschwingen von <10 % der V_CC
• I_off unterstützt Betrieb im partiellen Ruhemodus.
• Die Eingangshysterese ermöglicht einen langsamen Eingangsübergang und einen besseren Schutz gegen Schaltrauschen am Eingang (V_hys = 250 mV typ. bei 3,3 V)
• Großer V_CC-Betriebsbereich: 0,8 V bis 3,6 V
• Optimiert für 3,3-V-Betrieb
• 3.6-V-E/A-Toleranz für den Betrieb im Mixed-Mode
• t_pd = 4,8 ns max. bei 3,3 V
• Geeignet für Punkt-zu-Punkt-Anwendungen
• Latch-Up-Leistung übersteigt 100 mA gemäß JESD 78, Klasse II
• ESD-Schutz getestet gemäß JESD 22
  • 2000 V Menschmodell (A114-B, Klasse II)
  • 1000 V Geräteentladungsmodell (C101)

SN74AUP1G02DSFR

Einzelnes Positiv-NOR-Gate, Low-Power mit 2 Eingängen

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• Verfügbar im Texas Instruments NanoStar™-Gehäuse
• Niedriger statischer Energieverbrauch, (I_CC = 0.9 µA max.)
• Niedriger dynamischer Energieverbrauch (C_pd = 4,3 pF typ. bei 3,3 V)
• Niedrige Eingangskapazität (C_i = 1.5 pF typ.)
• Geringes Rauschen mit Überschwingen und Unterschwingen von <10 % der V_CC
• I_off unterstützt Betrieb im partiellen Ruhemodus.
• Die Eingangshysterese ermöglicht einen langsamen Eingangsübergang und einen besseren Schutz gegen Schaltrauschen am Eingang (V_hys = 250 mV typ. bei 3,3 V)
• Großer V_CC-Betriebsbereich: 0,8 V bis 3,6 V
• Optimiert für 3,3-V-Betrieb
• 3.6-V-E/A-Toleranz für den Betrieb im Mixed-Mode
• t_pd = 4.6 ns max. bei 3,3 V
• Geeignet für Punkt-zu-Punkt-Anwendungen
• Latch-Up-Leistung übersteigt 100 mA gemäß JESD 78, Klasse II
• ESD-Schutz getestet gemäß JESD 22
  • 2000 V Menschmodell (A114-B, Klasse II)
  • 1000 V Geräteentladungsmodell (C101)

SN74AUP1G07DSFR

Einfacher energiesparender Puffer/Treiber mit Open-Drain-Ausgängen

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• Verfügbar im Texas Instruments NanoStar™-Gehäuse
• Niedriger statischer Energieverbrauch, (I_CC = 0,9 µA max.)
• Niedriger dynamischer Energieverbrauch (C_pd = 1 pF typ. bei 3,3 V)
• Niedrige Eingangskapazität (C_i = 1,5 pF typ.)
• Geringes Rauschen mit Überschwingen und Unterschwingen von <10 % der V_CC
• I_off unterstützt Betrieb im partiellen Ruhemodus.
• Die Eingangshysterese ermöglicht einen langsamen Eingangsübergang und einen besseren Schutz gegen Schaltrauschen am Eingang (V_hys = 250 mV typ. bei 3,3 V)
• Großer V_CC-Betriebsbereich: 0,8 V bis 3,6 V
• Optimiert für 3,3-V-Betrieb
• 3,6-V-E/A-Toleranz für den Betrieb im Mixed-Mode
• t_pd = 3,3 ns max. bei 3,3 V
• Geeignet für Punkt-zu-Punkt-Anwendungen
• Latch-Up-Leistung übersteigt 100 mA gemäß JESD 78, Klasse II
• ESD-Schutz getestet gemäß JESD 22
  • 2000 V Menschmodell (A114-B, Klasse II)
  • 1000 V Geräteentladungsmodell (C101)

SN74AUP1G32

Einf. positives-OR-Gate, Low-Power mit 2 Eingängen

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• Verfügbar im Texas Instruments NanoStar™-Gehäuse
• Niedriger statischer Energieverbrauch, (I_CC = 0.9 µA max.)
• Niedriger dynamischer Energieverbrauch (C_pd = 4,3 pF typ. bei 3,3 V)
• Niedrige Eingangskapazität (C_i = 1,5 pF typ.)
• Geringes Rauschen mit Überschwingen und Unterschwingen von <10 % der V_CC
• I_off unterstützt Betrieb im partiellen Ruhemodus.
• Die Eingangshysterese ermöglicht einen langsamen Eingangsübergang und einen besseren Schutz gegen Schaltrauschen am Eingang (V_hys = 250 mV typ. bei 3,3 V)
• Großer V_CC-Betriebsbereich: 0,8 V bis 3,6 V
• Optimiert für 3,3-V-Betrieb
• 3.6-V-E/A-Toleranz für den Betrieb im Mixed-Mode
• t_pd = 4.6 ns max. bei 3,3 V
• Geeignet für Punkt-zu-Punkt-Anwendungen
• Latch-Up-Leistung übersteigt 100 mA gemäß JESD 78, Klasse II
• ESD-Schutz getestet gemäß JESD 22
  • 2000 V Menschmodell (A114-B, Klasse II)
  • 1000 V Geräteentladungsmodell (C101)

SN74AUP1G74

Einf. D-Flip-Flop, Low-Power mit positiver Flankensteuerung

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• Verfügbar im Texas Instruments NanoStar™-Gehäuse
• Niedriger statischer Energieverbrauch, (I_CC = 0,9 µA max.)
• Niedriger dynamischer Energieverbrauch (C_pd = 5,5 pF typ. bei 3,3 V)
• Niedrige Eingangskapazität (C_i = 1,5 pF typ.)
• Geringes Rauschen mit Überschwingen und Unterschwingen von <10 % der V_CC
• I_off unterstützt Betrieb im partiellen Ruhemodus.
• Schmitt-Trigger-Aktion ermöglicht einen langsamen Eingangsübergang und einen besseren Schutz gegen Schaltrauschen am Eingang (V_hys = 250 mV typ. bei 3,3 V)
• Großer V_CC-Betriebsbereich: 0,8 V bis 3,6 V
• Optimiert für 3,3-V-Betrieb
• 3.6-V-E/A-Toleranz für den Betrieb im Mixed-Mode
• t_pd = 5 ns max. bei 3,3 V
• Geeignet für Punkt-zu-Punkt-Anwendungen
• Latch-Up-Leistung übersteigt 100 mA gemäß JESD 78, Klasse II
• ESD-Schutz getestet gemäß JESD 22
  • 2000 V Menschmodell (A114-B, Klasse II)
  • 1000 V Geräteentladungsmodell (C101)

SN74AUP1G79

Einf. D-Flip-Flop, Low-Power mit positiver Flankensteuerung

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• Verfügbar im Texas Instruments NanoStar™-Gehäuse
• Niedriger statischer Energieverbrauch:
  (I_CC = 0,9 µA max.)
• Niedriger dynamischer Energieverbrauch:
  (C_pd = 3 pF typ. bei 3,3 V)
• Niedrige Eingangskapazität:
  (C_i = 1,5 pF typ.)
• Geringes Rauschen mit Überschwingen und Unterschwingen von
  <10 % der V_CC
• I_off unterstützt den partiellen Abschaltbetrieb
• Die Eingangshysterese ermöglicht einen langsamen Eingangsübergang und einen besseren Schutz gegen
  Schaltrauschen am Eingang (V_hys = 250 mV typ. bei 3,3 V)
• Großer V_CC-Betriebsbereich: 0,8 V bis 3,6 V
• Optimiert für 3,3-V-Betrieb
• 3.6-V-E/A-Toleranz für den Betrieb im Mixed-Mode
• t_pd = 4 ns max. bei 3,3 V
• Geeignet für Punkt-zu-Punkt-Anwendungen
• Latch-Up-Leistung übersteigt 100 mA gemäß JESD 78, Klasse II
• ESD-Schutz getestet gemäß JESD 22
  • 2000 V Menschmodell
    (A114-B, Klasse II)
  • 1000 V Geräteentladungsmodell (C101)

SN74LVC1G04

Einfacher Inverter

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• Verfügbar im Texas Instruments NanoFree™-Gehäuse
• Unterstützt Betrieb mit 5 V V_CC
• Zulässige Spannung an den Eingängen bis zu 5,5 V
• Max. t_pd = 3,3 ns bei 3,3 V
• Geringer Stromverbrauch, 10 µA max. I_CC
• ±24 mA Ausgangsansteuerung bei 3,3 V
• I_off unterstützt Einstecken während des Betriebs, partiellen
  Abschaltmodus und Backdrive-Schutz
• Latch-Up-Leistung übersteigt 100 mA gemäß JESD 78, Klasse II
• ESD-Schutz übertrifft JESD 22
  • 2000 V Menschmodell (A114-A)
  • 200 V Maschinenmodell (A115-A)
  • 1000 V Geräteentladungsmodell (C101)

SN74LVC1G07

Einfacher Puffer/Treiber mit Open-Drain-Ausgang

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• Verfügbar im Texas Instruments
  NanoFree™-Gehäuse
• Unterstützt Betrieb mit 5 V V_CC
• Eingang und Open-Drain-Ausgang geeignet für
  Spannungen bis zu 5,5 V
• Max. t_pd = 4,2 ns bei 3,3 V
• Geringer Stromverbrauch, 10 µA max. I_CC
• ±24 mA Ausgangsansteuerung bei 3,3 V
• I_off unterstützt
  Betrieb im partiellen Ruhemodus.
• Latch-Up-Leistung übersteigt 100 mA gemäß
  JESD 78, Klasse II
• ESD-Schutz übertrifft JESD 22
  • 2000 V Menschmodell (A114-A)
  • 200 V Maschinenmodell (A115-A)
  • 1000 V Geräteentladungsmodell (C101)

SN74LVC1G08

Einfaches pos. AND-Gate mit 2 Eingängen

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• Verfügbar im Texas Instruments NanoFree™-Gehäuse
• Unterstützt Betrieb mit 5 V V_CC
• Zulässige Spannung an den Eingängen bis zu 5,5 V
• Max. t_pd = 3,6 ns bei 3,3 V
• Geringer Stromverbrauch, 10 µA max. I_CC
• ±24 mA Ausgangsansteuerung bei 3,3 V
• I_off unterstützt Betrieb im partiellen Ruhemodus
• Latch-Up-Leistung übersteigt 100 mA gemäß JESD 78, Klasse II
• ESD-Schutz übertrifft JESD 22
  • 2000 V Menschmodell (A114-A)
  • 200 V Maschinenmodell (A115-A)
  • 1000 V Geräteentladungsmodell (C101)

SN74LVC1G14

Einf. Schmitt-Trigger-Inverter

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• Verfügbar im Texas Instruments NanoStar- und NanoFree-Gehäuse
• Unterstützt Betrieb mit 5 V V_CC
• Zulässige Spannung an den Eingängen bis zu 5,5 V
• Max. t_pd = 4,6 ns bei 3,3 V
• Geringer Stromverbrauch, 10 µA max. I_CC
• ±24 mA Ausgangsansteuerung bei 3,3 V
• I_off unterstützt Einstecken während des Betriebs, partiellen Abschaltmodus und Backdrive-Schutz
• Latch-Up-Leistung übersteigt 100 mA gemäß JESD 78, Klasse II
• ESD-Schutz übertrifft JESD 22
  • 2000 V Menschmodell (A114-A)
  • 200 V Maschinenmodell (A115-A)
  • 1000 V Geräteentladungsmodell (C101)

SN74LVC1G17

Einf. Schmitt-Trigger-Puffer

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• Verfügbar im Texas Instruments NanoFree™-Gehäuse
• Unterstützt Betrieb mit 5 V V_CC
• Zulässige Spannung an den Eingängen bis zu 5,5 V
• Max. t_pd = 4,6 ns bei 3,3 V
• Geringer Stromverbrauch, 10 µA max. I_CC
• ±24 mA Ausgangsansteuerung bei 3,3 V
• I_off unterstützt Einstecken während des Betriebs, partiellen Abschaltmodus und Backdrive-Schutz
• Latch-Up-Leistung übersteigt 100 mA gemäß JESD 78, Klasse II
• ESD-Schutz übertrifft JESD 22
  • 2000 V Menschmodell (A114-A)
  • 200 V Maschinenmodell (A115-A)
  • 1000 V Geräteentladungsmodell (C101)

SN74LVC1G32

Einf. positives-OR-Gate mit 2 Eingängen

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• Verfügbar im Texas Instruments NanoStar™- und NanoFree™-Gehäuse
• Unterstützt Betrieb mit 5 V V_CC
• Zulässige Spannung an den Eingängen bis zu 5,5 V
• Max. t_pd = 3,6 ns bei 3,3 V
• Geringer Stromverbrauch, 10 µA max. I_{C C}
• ±24 mA Ausgangsansteuerung bei 3,3 V
• I_off unterstützt Betrieb im partiellen Ruhemodus
• Latch-Up-Leistung übersteigt 100 mA gemäß JESD 78, Klasse II
• ESD-Schutz übertrifft JESD 22
  • 2000 V Menschmodell (A114-A)
  • 200 V Maschinenmodell (A115-A)
  • 1000 V Geräteentladungsmodell (C101)

SN74LVC1G123

Einfacher nachtriggerbarer monostabiler Multivibrator mit Schmitt-Trigger-Eingängen

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• Verfügbar im Texas Instruments NanoFree™-Gehäuse
• Unterstützt Betrieb mit 5 V V_CC
• Zulässige Spannung an den Eingängen bis zu 5,5 V
• Max. t_pd = 8 ns bei 3,3 V
• Betrieb mit gemischten Spannungen an allen Anschlüssen
• Schmitt-Trigger-Schaltung an den Eingängen A und B für langsame Übersetzung am Eingang
• Flankengesteuert durch Aktiv-High- oder Aktive-Low-Logikeingänge
• Nachtriggerbar für sehr lange Ausgangsimpulse mit Tastgrad bis zu 100 %
• SRCLR beendet Ausgangsimpuls
• Störungsfreier Einschalt-Reset an den Ausgängen
• I_off unterstützt Betrieb im partiellen Ruhemodus
• Latch-Up-Leistung übersteigt 100 mA gemäß JESD 78, Klasse II
• ESD-Schutz übertrifft JESD 22
  • 2000 V Menschmodell (A114-A)
  • 200 V Maschinenmodell (A115-A)
  • 1000 V Geräteentladungsmodell (C101)

SN74LVC1G125

Einzelbus-Puffer-Gate mit Tri-State-Ausgängen

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• Verfügbar im Texas Instruments NanoFree™-Gehäuse
• Unterstützt Betrieb mit 5 V V_CC
• Zulässige Spannung an den Eingängen bis zu 5,5 V
• Max. t_pd = 3,7 ns bei 3,3 V
• Geringer Stromverbrauch, 10 µA max. I_CC
• ±24 mA Ausgangsansteuerung bei 3,3 V
• I_off unterstützt Betrieb im partiellen Ruhemodus
• Latch-Up-Leistung übersteigt 100 mA gemäß JESD 78, Klasse II
• ESD-Schutz übertrifft JESD 22
  • 2000 V Menschmodell (A114-A)
  • 200 V Maschinenmodell (A115-A)
  • 1000 V Geräteentladungsmodell (C101)

SN74LVC1G332

Einf. positives-OR-Gate mit 3 Eingängen

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• Verfügbar im Texas Instruments NanoStar™- und NanoFree™-Gehäuse
• Unterstützt Betrieb mit 5 V V_CC
• Zulässige Spannung an den Eingängen bis zu 5,5 V
• Max. t_pd = 4,5 ns bei 3,3 V
• Geringer Stromverbrauch, 10 µA max. I_CC
• ±24 mA Ausgangsansteuerung bei 3,3 V
• I_off unterstützt Betrieb im partiellen Ruhemodus
• Latch-Up-Leistung übersteigt 100 mA gemäß
  JESD 78, Klasse II
• ESD-Schutz übertrifft JESD 22
  • 2000 V Menschmodell (A114-A)
  • 200 V Maschinenmodell (A115-A)
  • 1000 V Geräteentladungsmodell (C101)

SN74LVC2G08

Zweifaches pos. AND-Gate mit 2 Eingängen

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• Verfügbar im Texas Instruments NanoFree™-Gehäuse
• Unterstützt Betrieb mit 5 V V_CC
• Zulässige Spannung an den Eingängen bis zu 5,5 V
• Max. t_pd = 4,7 ns bei 3,3 V
• Geringer Stromverbrauch, 10 µA max. I_CC
• ±24 mA Ausgangsansteuerung bei 3,3 V
• Typ. V_OLP (Ground-Bouncing am Ausgang) <0,8 V bei V_CC = 3,3 V, T_A = 25 °C
• Typ. V_OHV (V_OH-Unterschwingen am Ausgang)>2 V bei V_CC = 3,3 V, T_A = 25 °C
• I_off unterstützt Betrieb im partiellen Ruhemodus
• Latch-Up-Leistung übersteigt 100 mA gemäß JESD 78, Klasse II
• ESD-Schutz übertrifft JESD 22
  • 2000 V Menschmodell (A114-A)
  • 1000 V Geräteentladungsmodell (C101)

Logik

Als Weltmarktführer in Logik-Produkten bietet Texas Instruments (TI) ein komplettes Spektrum von Logik-Funktionen und -Technologien von den ausgereiften bipolaren und komplementär-bipolaren Metalloxid-Halbleitern (BiCMOS) bis zu den neuesten hochentwickelten CMOS-Produktfamilien. TI bietet Prozesstechnologien mit der Logik-Leistung und -Funktion, die auf dem heutigen Elektronikweltmarkt benötigt wird. Herkömmliche Logikprodukte werden dabei weiterhin unterstützt. Die Produktangebote von TI umfassen folgende Prozesstechnologien und Bausteinfamilien:

• AC, ACT, AHC, AHCT, ALVC, AUC, AUP, AVC, FCT, HC, HCT, LV-A, LV-AT, LVC, TVC
• ABT, ABTE, ALB, ALVT, BCT, HSTL, LVT
• BTA, CB3Q, CB3T, CBT, CBT-C, CBTLV, FB, FIFOs, GTL, GTLP, JTAG, I²C, VME
• ALS, AS, F, LS, S, TTL

SN74LVC00ARGYR

Vierfaches Positive-NAND-Gate mit 2 Eingängen

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• Betrieb von 1,65 V bis 3,6 V
• Spezifiziert von -40 °C bis 85 °C, -40 °C bis 125 °C und -55 °C bis 125 °C
• Zulässige Spannung an den Eingängen bis zu 5,5 V
• Max. t_pd = 4,3 ns bei 3,3 V
• Typ. V_OLP (Ground-Bouncing am Ausgang) <0,8 V bei V_CC = 3,3 V, T_A = 25 °C
• Typ. V_OHV (V_OH-Unterschwingen am Ausgang)>2 V bei V_CC = 3,3 V, T_A = 25 °C
• Latch-Up-Leistung übersteigt 250 mA gemäß JESD 17
• ESD-Schutz übertrifft JESD 22
  • 2000 V Menschmodell (A114-A)
  • 200 V Maschinenmodell (A115-A)
  • 1000 V Geräteentladungsmodell (C101)

SN74LVC06ARGYR

Hex-Inverterpuffer/-Treiber mit Open-Drain-Ausgängen

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• Betrieb von 1,65 V bis 3,6 V
• Spezifiziert von -40 °C bis 85 °C, -40 °C bis 125 °C und -55 °C bis 125 °C
• Eingang und Open-Drain-Ausgang geeignet für Spannungen bis zu 5,5 V
• Max. t_pd = 3,7 ns bei 3,3 V
• I_off unterstützt Betrieb im partiellen Ruhemodus
• Latch-Up-Leistung übersteigt 250 mA gemäß JESD 17

SN74LVC08ARGYR

Vierfaches Positive-AND-Gate mit 2 Eingängen

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• Betrieb von 1,65 V bis 3,6 V
• Spezifiziert von -40 °C bis 85 °C, -40 °C bis 125 °C und -55 °C bis 125 °C
• Zulässige Spannung an den Eingängen bis zu 5,5 V
• Max. t_pd = 4,1 ns bei 3,3 V
• Typ. V_OLP (Ground-Bouncing am Ausgang) <0,8 V bei V_CC = 3,3 V, T_A = 25 °C
• Typ. V_OHV (V_OH-Unterschwingen am Ausgang)>2 V bei V_CC = 3,3 V, T_A = 25 °C
• Latch-Up-Leistung übersteigt 250 mA gemäß JESD 17
• ESD-Schutz übertrifft JESD 22
  • 2000 V Menschmodell (A114-A)
  • 200 V Maschinenmodell (A115-A)
  • 1000 V Geräteentladungsmodell (C101)

TS3L110

Vierfacher SPDT 10/100 Base-T-Lan-Schalter, hohe Bandbreite, Differenzial 8 bis 4 Multiplexer/Demultiplexer

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• Große Bandbreite (BW = 500 MHz typ.)
• Geringes Übersprechen (X_TALK = –30 dB Typ)
• Bidirektionaler Datenfluss, Laufzeitverzögerung nahezu 0
• Niedriger und flacher Einschaltwiderstand (r_on = 4 Ω)
• Bei Datenverkehr schaltende E/A-Anschlüsse (0 bis 5 V)
• V_CC-Betriebsbereich von 3 V bis 3,6 V
• I_off unterstützt Betrieb im partiellen Ruhemodus
• Daten und Steuereingänge verfügen über Klemmdioden gegen Unterschwingen
• Latch-Up-Leistung übersteigt 100 mA gemäß JESD 78, Klasse II
• ESD-Schutz getestet gemäß JESD 22
  • 2000 V Menschmodell (A114-B, Klasse II)
  • 1000 V Geräteentladungsmodell (C101)
• Geeignet für 10 Base-T- und 100 Base-T-Signale

CD4011B

Vierf. CMOS-NAND-Gate m. 2 Eingängen

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• Laufzeitverzögerung = 60 ns (typ.) bei C_L = 50 pF, V_DD = 10 V
• Gepufferte Ein- und -Ausgänge
• Standardisierte symmetrische Ausgangscharakteristik
• Maximaler Eingangsstrom von 1 µA bei 18 V über den ganzen Temperaturbereich, 100 nA bei 18 V und 25 °C
• Zu 100% auf Ruhestrom getestet bei 20 V
• Parametrische Evaluierung für 5 V, 10 V und 15 V
• Rauschabstand (über den gesamten Temperaturbereich im Gehäuse:
  1 V bei V_DD = 5 V
  2 V bei V_DD = 10 V
  2,5 bei V_DD = 15 V
• Erfüllt alle Anforderung des JEDEC-Standard-Entwurfs Nr. 13B, „Standard-Spezifikationen für die Beschreibung von CMOS-Bausteinen der Serie B“

CD4013B

Zweif. CMOS-D-Flip-Flop

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• Set-Reset-fähig
• Statisches Flipflop – hält den Zustand beim Pegel „high“ oder „low“ dauerhaft
• Mittlere Geschwindigkeit – 16 MHz (typ.) Taktschaltfrequenz bei 10 V
• Standardisierte symmetrische Ausgangscharakteristik
• Zu 100% auf Ruhestrom getestet bei 20 V
• Maximaler Eingangsstrom von 1 µA bei 18 V über den gesamten Temperaturbereich des Gehäuses, 100 nA bei 18 V und 25 °C
• Rauschabstand (gesamter Temperaturbereich des Gehäuses) =
  
  • 1 V bei V_DD = 5 V
  • 2 V bei V_DD = 10 V
  • 2,5 V bei V_DD = 15 V
• Parametrische Evaluierung für 5 V, 10 V und 15 V
• Erfüllt alle Anforderung des JEDEC-Standard-Entwurfs 13B, „Standard-Spezifikationen für die Beschreibung von CMOS-Bausteinen der Serie B“
• Anwendungen:
  • Register, Zähler, Steuerschaltungen

CD4017B

CMOS-Dekadenzähler mit 10 dekodierten Ausgängen

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• Voll statischer Betrieb
• Mittlere Geschwindigkeit…10 MHz (typ.) bei V_DD = 10 V
• Standardisierte symmetrische Ausgangscharakteristik
• Zu 100% auf Ruhestrom getestet bei 20 V
• Parametrische Evaluierung für 5 V, 10 V und 15 V
• Erfüllt alle Anforderung des JEDEC-Standard-Entwurfs 13B, „Standard-Spezifikationen für die Beschreibung von CMOS-Bausteinen der Serie B“
• Anwendungen:
  • Display mit Dekadenzähler/Dezimaldekodierung (CD4017B)
  • Binärer Zähler/Dekodierer
  • Frequenzteilung
  • Zählersteuerung/Timer
  • Zählen mit Teilen durch N
  • Informationen zu weiteren Anwendungen finden Sie in ICAN-6166 „COS/MOS MSI Counter and Register Design and Applications“

CD4049UB

Invertierender Hex-Puffer/Wandler

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• CD4049UB Invertierend
• CD4050B Nicht-invertierend
• Hoher Senkenstrom für die Ansteuerung von 2 TTL-Lasten
• Pegelkonvertierung High-nach-Low
• Zu 100% auf Ruhestrom getestet bei 20 V
• Maximaler Eingangsstrom von 1 µA bei 18 V über den gesamten Temperaturbereich des Gehäuses, 100 nA bei 18 V und 25 °C
• Parameterische Evaluierung für 5 V, 10 V und 15 V
• Anwendungen
  • Hex-Wandler CMOS nach DTL/TTL
  • CMOS-Treiber für Strom-„Senken“ oder -„Quellen“
  • CMOS-High-nach-Low-Pegelwandler

CD4051B

Einfacher CMOS-8-Kanal-Analog-Multiplexer/Demultiplexer mit Logikpegelwandlung

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• Großer Bereich von digitalen und analogen Signalpegeln
  • Digital: 3 V bis 20 V
  • Analog: ≤20V_P-P
• Geringer EIN-Widerstand, 125 Ω (typ.) über 15 V_P-P-Eingangssignalbereich für V_DD–V_EE = 18 V
• Hoher AUS-Widerstand, Kanal-Leckstrom von ±100 pA (typ.) bei V_DD–V_EE = 18 V
• Logikpegelwandlung für Signale mit digitaler Adressierung von 3 V bis 20 V (V_DD–V_SS = 3 V bis 20 V) zum Schalten von analogen Signalen auf 20 V_P-P (V_DD–V_EE = 20 V)
• Angepasste Schaltcharakteristik, r_ON = 5 Ω (typ.) für V_DD–V_EE = 15 V
• Sehr niedrige Ruheverlustleistung unter allen digital gesteuerten Eingangs- und Versorgungsbedingungen, 0,2 µW (typ.) bei V_DD–V_SS = V_DD–V_EE = 10 V
• Binäre Adressdekodierung auf dem Chip
• Parameterische Evaluierung für 5 V, 10 V und 15 V
• Zu 10% auf Ruhestrom getestet bei 20 V
• Maximaler Eingangsstrom von 1 µA bei 18 V über den gesamten Temperaturbereich des Gehäuses, 100 nA bei 18 V und 25 °C
• Break-Before-Make-Schalten verhindert die Überschneidung von Kanälen
• Anwendungen
  • Analoge und digitale Multiplexer und Demultiplexer
  • A/D- und D/A-Wandler
  • Signalweichen

CD4060B

Binärer 14-Phasen-CMOS-Ripple-Carry-Zähler/Teiler und Oszillator

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• Taktrate 12 MHz bei 15 V
• Gemeinsames Zurücksetzen
• Voll statischer Betrieb
• Gepufferte Ein- und -Ausgänge
• Schmitt-Trigger-Eingangsimpulsleitung
• Zu 100% auf Ruhestrom getestet bei 20 V
• Standardisierte symmetrische Ausgangscharakteristik
• Parametrische Evaluierung für 5 V, 10 V und 15 V
• Erfüllt alle Anforderung des JEDEC-Standard-Entwurfs 13B, „Standard-Spezifikationen für die Beschreibung von CMOS-Bausteinen der Serie B“
• Merkmale des Oszillators:
  • Alle aktiven Komponenten befinden sich auf dem Chip
  • Konfiguration als RC- oder Quarzoszillator
  • RC-Oszillatorfrequenz von 690 kHz min. bei 15 V
• Anwendungen
  • Steuerungszähler
  • Timer
  • Frequenzteiler
  • Zeitverzögerungsschaltungen

CD4066B

Vierf. CMOS-Bilateralschalter

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• 15-V-Digital oder ±7,5-V-Peak-to-Peak-Schalten
• Widerstand im EIN-Zustand typ. 125 Ω im 15-V-Betrieb
• Anpassung des Widerstands im EIN-Zustands innerhalb von 5 Ω über den 15-V-Eingangssignalbereich
• Widerstand im EIN-Zustand flach über den gesamten Peak-to-Peak-Signalbereich
• Hohes EIN/AUS-Ausgangsspannungsverhältnis: 80 dB typ. bei f_is = 10 kHz, R_L = 1 kΩ
• Hoher Linearitätsgrad: Klirrfaktor <0.5% typ. bei f_is = 1 kHz, V_is = 5 V p-p, V_DD–V_SS Ω
• Extrem geringe Leckströme beim Schalten, daher sehr geringer Offset-Strom und sehr effektiver Widerstand im AUS-Zustand: 10 pA typ. bei V_DD–V_SS = 10 V, T_A = 25 °C
• Extrem hohe Impedanz am Steuereingang (Signal- und Steuerschaltung galvanisch getrennt): 10¹² Ω typ.
• Geringes Übersprechen zwischen den Schaltern: -50 dB typ. bei f_is = 8 kHz, R_L = 1 kΩ
• Die Kapazitätsanpassung zwischen Steuer- und Signaleingang reduziert Signaltransienten am Ausgang
• Frequenzantwort mit Schalter EIN = 40 MHz (typ.)
• Zu 100% auf Ruhestrom getestet bei 20 V
• Parametrische Evaluierung für 5 V, 10 V und 15 V
• Erfüllt alle Anforderung des JEDEC-Standard-Entwurfs 13B, Standard-Spezifikationen für die Beschreibung von CMOS-Bausteinen der Serie B
• Anwendungen:
  • Schalten/Multiplexen von analogen Signalen:
    Signalweichen, Modulatoren, Rauschunterdrückung, Demodulatoren, Chopper, kommutierende Schalter
  • Schalten/Multiplexen von digitalen Signalen
  • Implementierung der Übertragungsgatter-Logik
  • Analog-Digital- und Digital-Analog-Wandlung
  • Digitale Steuerung von Frequenz, Impedanz, Phase und analoger Signalverstärkung

CD4093B

Vierf. CMOS-NAND-Schmitt-Trigger mit 2 Eingängen

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• Schmitt-Trigger-Aktion an allen Eingängen ohne externe Komponenten
• Hysteresespannung typ. 0,9 V bei V_DD = 5 V und 2,3 V bei V_DD = 10 V
• Störfestigkeit über 50 %
• Keine Beschränkung für Anstiegs- und Abfallzeiten
• Standardisierte symmetrische Ausgangscharakteristik
• Zu 100% auf Ruhestrom getestet bei 20 V
• Maximaler Eingangsstrom von 1 µA bei 18 V über den gesamten Temperaturbereich des Gehäuses, 100 nA bei 18 V und 25 °C
• Parametrische Evaluierung für 5 V, 10 V und 15 V
• Erfüllt alle Anforderung des JEDEC-Standard-Entwurfs 13B, „Standard-Spezifikationen für die Beschreibung von CMOS-Bausteinen der Serie B“
• Anwendungen:
  • Wellenform- und Impulsformer
  • Systeme in Umgebungen mit starkem Rauschen
  • Monostabile Multivibratoren
  • Astabile Multivibratoren
  • NAND-Logik

CD74HC154

Hochgeschwindigkeits-CMOS-Logik-Dekodierer/Demultiplexer, 4-zu-16 Leitungen

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• Zwei Enable-Eingänge zur Vereinfachung der Demultiplexer- und Kaskadierungsfunktionen
• Fanout (über den Temperaturbereich)
  • Standardausgänge . . . . . 10 LSTTL-Lasten
  • Bustreiber-Ausgänge . . . 15 LSTTL-Lasten
• Großer Betriebstemperaturbereich . . . -55 bis 125 °C
• Ausgeglichene Laufzeitverzögerung und Übergangszeiten
• Signifikante Reduzierung der Leistung im Vergleich mit LSTTL-Logik-ICs
• HC-Typ
  • Betriebsspannung von 2 V bis 6 V
  • Hohe Störfestigkeit: N_IL= 30%, N_IH = 30% der V_CC bei V_CC = 5V
• HCT-Typ
  • Betriebsspannung von 4,5 V bis 5,5 V
  • Direkt kompatibel mit LSTTL-Eingangslogik, V_IL = 0,8 V (max.), V_IH = 2 V (min.)
  • Kompatibel mit CMOS-Eingang, I_l 1 µA bei V_OL, V_OH

SN7400

Vierf. pos. NAND-Gates mit 2 Eingängen

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• Als Gehäuse sind lieferbar u.a. Kunststoff Small-Outline (D, NS, PS), Schrank Small-Outline (DB) und Keramik Flat (W), Keramik Chip Curries (FK), Standard-Kunststoff- (N) und Keramik-DIPs (J)
• Auch als zweif. pos. NAND-Gate mit 2 Eingängen in Small-Outline-Gehäuse (PS)

SN7404

Hex-Inverter

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• Qualität und Zuverlässigkeit von Texas Instruments

SN74HC14

Hex-Schmitt-Trigger-Inverter

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• Großer Betriebsspannungsbereich von 2 V bis 6 V
• Ausgänge können bis zu 10 LSTTL-Lasten ansteuern
• Geringer Stromverbrauch, 20 µA max. I_CC
• t_pd = 11 ns typ.
• ±4 mA Ausgangsansteuerung bei 5 V
• Niedrige Eingangsstromstärke von max. 1 µA

SN74LS00

Vierf. pos. NAND-Gates mit 2 Eingängen

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• Als Gehäuse sind lieferbar u.a. Kunststoff Small-Outline (D, NS, PS), Shrink Small-Outline (DB) und Keramik Flat (W), Keramik Chip Carriers (FK), Standard-Kunststoff- (N) und Keramik-DIPs (J)
• Auch als zweif. pos. NAND-Gate mit 2 Eingängen in Small-Outline-Gehäuse (PS)

SN74LS04

Hex-Inverter

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• Qualität und Zuverlässigkeit von Texas Instruments

SN74LS08

Vierfache Positive-AND-Gates mit 2 Eingängen

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• Als Gehäuse sind lieferbar “Small Outline"-Kunststoffgehäuse, Keramik-Chip Carriers und Flat Packages sowie Kunststoff- und Keramik-DIPs
• Qualität und Zuverlässigkeit von Texas Instruments

SN74CB3Q16211

24-Bit FET 2,5-V/3,3-V-Niederspannungs-Bus-Schalter mit hoher Bandbreite

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• Gehört zur Texas Instruments Widebus™-Familie
• Datenpfad mit hoher Bandbreite (Bis zu 500 MHz)
• 5-V-tolerante E/A-Anschlüsse bei ein- oder ausgeschaltetem Baustein
• Niedriger und flacher Widerstand im EIN-Zustand (r_on) Charakteristik über den Betriebsberiech (r_on = 5 Ω typ.)
• Rail-to-Rail-Schalten an Daten-E/A-Anschlüssen
  • 0-V- bis 5-V-Schalten bei 3,3-V V_CC
  • 0-V- bis 3,3-V-Schalten bei 2,5-V V_CC
• Bidirektionaler Datenfluss, Laufzeitverzögerung nahezu 0
• Die geringe Eingangs-/Ausgangskapazität minimiert die Lade- und Signalverzerrung (C_io(OFF) = 4 pF typ.)
• Hohe Schaltfrequenz (f_OE\ = 20 MHz max.)
• Daten und Steuereingänge verfügen über Klemmdioden gegen Unterschwingen
• Geringer Stromverbrauch (I_CC = 1 µA typ.)
• V_CC-Betriebsbereich von 2,3 V bis 3,6 V
• Die Daten-E/A-Anschlüsse unterstützten 0-V- bis 5-V-Signalpegel (0,8 V, 1,2 V, 1,5 V, 1,8 V, 2,5 V, 3,3 V, 5 V)
• Steuereingänge können durch TTL oder 5-V/3,3-V-CMOS-Ausgänge angesteuert werden
• I_off unterstützt Betrieb im partiellen Ruhemodus
• Latch-Up-Leistung übersteigt 100 mA gemäß JESD 78, Klasse II
• ESD-Schutz getestet gemäß JESD 22
  • 2000 V Menschmodell (A114-B, Klasse II)
  • 1000 V Geräteentladungsmodell (C101)

SN74LVC138A

Dekodierer/Multiplexer 3 auf 8 Leitungen

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• Betrieb von 1,65 V bis 3,6 V
• Zulässige Spannung an den Eingängen bis zu 5,5 V
• Max. t_pd = 5,8 ns bei 3,3 V
• Typ. V_OLP (Ground-Bouncing am Ausgang)
  <0,8 V bei V_CC = 3,3 V, T_A = 25 °C
• Typ. V_OHV (V_OH-Unterschwingen am Ausgang)
  > 2 V bei V_CC = 3,3 V, T_A = 25 °C
• Latch-Up-Leistung übersteigt 250 mA gemäß JESD 17
• ESD-Schutz übertrifft JESD 22
  • 2000 V Menschmodell (A114-A)
  • 200 V Maschinenmodell (A115-A)
  • 1000 V Geräteentladungsmodell (C101)

Standard Linear

Die für den analogen Markt bestimmten Produkte von TI sind in vielen Bereichen einsetzbare, universelle Produkte, u. a. Signalkonditionierungsschaltungen, Strommanagement, Schnittstellenprodukte und Datenwandler. TI hat die branchenweit größte Auswahl an analogen Schwachstrom- und Niederspannungsbauteilen entwickelt, deren Eigenschaften für eine Vielzahl verschiedener Anwendungen geeignet sind. Standard-Linear-Produkte von TI bieten:

• Kleine Gehäuse
• Hohe Leistung
• Hohe Kapazität
• Anwendungsunterstützung

LMV339

Vierfache universelle Niederspannungskomparatoren

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• Betriebsspannung 2,7 V und 5 V
• Niedriger Versorgungsstrom
  • LMV331 . . 130 μA typ.
  • LMV393 . . . 210 μA typ.
  • LMV339 . . . 410 μA typ.
• Gleichtakt-Eingangsspannungsbereich einschließlich Erde
• Niedrige Sättigungsspannung am Ausgang von 200 mV typ.
• Ausgang mit offenem Kollektor bietet maximale Flexibilität

LMV393

Dualer universeller Niederspannungskomparator

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• Betriebsspannung 2,7 V und 5 V
• Niedriger Versorgungsstrom
  • LMV331 . . 130 μA typ.
  • LMV393 . . . 210 μA typ.
  • LMV339 . . . 410 μA typ.
• Gleichtakt-Eingangsspannungsbereich einschließlich Erde
• Niedrige Sättigungsspannung am Ausgang von 200 mV typ.
• Ausgang mit offenem Kollektor bietet maximale Flexibilität

LMV331

Einfache universelle Niederspannungskomparatoren

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• Betriebsspannung 2,7 V und 5 V
• Niedriger Versorgungsstrom
  • LMV331 . . 130 μA typ.
  • LMV393 . . . 210 μA typ.
  • LMV339 . . . 410 μA typ.
• Gleichtakt-Eingangsspannungsbereich einschließlich Erde
• Niedrige Sättigungsspannung am Ausgang von 200 mV typ.
• Ausgang mit offenem Kollektor bietet maximale Flexibilität

LM311

Differenzialkomparator mit Strobes

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• Kurze Reaktionszeiten
• Strobe-fähig
• Max. Eingangsruhestrom . . . 300 nA
• Max. Eingangs-Offset-Strom . . . 70 nA
• Benötigt nur eine einzelne 5-V-Spannungsversorgung
• Lieferbar als Q-Temp Automotive
  • Hochzuverlässige Automobiltechnik
  • Konfigurationssteuerung/Druckerunterstützung
  • Erfüllt Automobilstandards

LM358

Duale Operationsverstärker

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• Großer Versorgungsspannungsbereich:
  • Einzelne Stromversorgung . . . 3 V bis 32 V
    (26 V für LM2904)
  • oder zwei Stromversorgungen . . . ±1.5 V bis ±n;16 V
    (±13 V für LM2904)
• Niedriger Versorgungsstromverbrauch unabhängig von der Versorgungsspannung . . . 0,7 mA (typ.)
• Gleichtakt-Eingangsspannungsbereich einschl. Erde ermöglicht direkte Erfassung in Oberflächennähe
• Niedriger Eingangsruhestrom und niedrige Offset-Parameter:
  • Offset-Spannung im Eingang ...3 mV typ.
    A Versionen ...2 mV typ.
  • Offset-Strom am Eingang ...2 nA typ.
  • Eingangsruhestrom . . . 20 nA typ.
    A Versionen . . . 15 nA typ.
• Differentialeingangsbereich gleich max. Nennversorgungsspannung . . . ±32 V
  (26 V für LM2904)
• Differenzielle Open-Loop-Spannungsverstärkung . . . 100 V/mV typ.
• Interne Frequenzkompensation

LM4040A25

Präzisions-Micropower-Shunt-Spannungsreferenz 2,5 V, Genauigkeit 0,1 %

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• feste Ausgangsspannungen von 2,048 V, 2,5 V, 3 V, 4,096 V, 5 V, 8,192 V und 10 V
• Enge Ausgangstoleranzen und niedriger Temperaturkoeffizient
  • Max. 0,1%, 100 ppm/°C - Stufe A
  • Max. 0,2%, 100 ppm/°C - Stufe B
  • Max. 0,5%, 100 ppm/°C - Stufe C
  • Max. 1,0%, 150 ppm/°C - Stufe D
• Niedriges Ausgangsrauschen: . 0,35 µV_RMS typ
• Großer Betriebstemperaturbereich . . 0,45 µA typ. bis 15 mA
• Stabil bei allen kapazitiven Lasten, kein Ausgangskondensator erforderlich
• Lieferbar für erweiterten Temperaturbereich . -40 °C bis 125 °C
• ANWENDUNGEN
  • Datenerfassungssysteme
  • Netzteile und Netzteil-Monitore
  • Mess- und Prüftechnik
  • Prozesssteuerung
  • Präzisions-Audio
  • Automobilelektronik
  • Energiemanagement
  • Batteriebetriebene Geräte

LT1013

Dualer Präzisions-Operationsverstärker

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• Betrieb mit einer Stromversorgung
  - Eingangsspannungsbereich einschl. Erde
  - Ausgang schwingt bei sinkendem Strom auf Erde
• Offset-Spannung am Eingang
  - 150 µV max. bei 25 °C für LT1013A
• Temperaturkoeffizienten für Offset-Spannung
  - 2,5 µV/°C max. für LT1013A
• Offset-Strom am Eingang
  - 0,8 nA max. bei 25 °C für LT1013A
• Hohe Verstärkung . . . 1,5 V/µV min. (RL = 2 kΩ), 0,8 V/µV min. (RL = 600 kΩ) für LT1013A
• Niedriger Versorgungsstrom . . . 0,5 mA max. bei TA = 25 °C für LT1013A
• Niedrige Peak-to-Peak-Störspannung . . . 0,55 µV typ.
• Geringes Stromrauschen . . . 0,07 pA/√Hz typ.

NE5532

Dualer Hochgeschwindigkeits-Audio-Operationsverstärker mit geringem Rauschen

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• Entsprechende Eingangsrauschspannung:
  5 nV/√Hz typ. bei 1 kHz
• Einheitsverstärkungsbandbreite: 10 MHz typ.
• Gleichtaktunterdrückungsverhältnis: 100 dB typ.
• Hohe Gleichspannungsverstärkung: 100 V/mV typ.
• Peak-to-Peak-Hub der Ausgangsspannung 26 V typ.
  mit V_CC± = ±15 V und R_L = 600 Ω
• Hohe Flankensteilheit: 9 V/μs typ.

RC4558

Dualer Universal-Operationsverstärker

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• Kontinuierlicher Kurzschlussschutz
• Großer Spannungsbereich im Gleichtakt- und differentiellen Modus
• Keine Frequenzkompensation erforderlich
• Geringer Stromverbrauch
• Kein Latch-Up
• Einheitsverstärkungsbandbreite . . . 3 MHz (typ.)
• Anpassung von Verstärkung und Phase zwischen mehreren Verstärkern
• Geringes Rauschen . . . 8 nV/√Hz typ. bei 1 kHz

TL431

Einstellbarer Shunt-Präzisionsregler

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• Betrieb von -40 °C bis 125 °C
• Referenzspannungstoleranz bei 25 °C
  • 0,5 % . . . Stufe B
  • 1 %. . . Stufe A
  • 2 % . . . Standardstufe
• Typische Temperaturdrift (TL431B)
  • 6 mV (C-Temp.)
  • 14 mV (I-Temp., Q-Temp.)
• Geringes Ausgangsrauschen:
• Typische Ausgangsimpedanz von 0,2 Ω
• Für Senkenstrom geeignet . . . 1 mA bis 100 mA
• Einstellbare Ausgangsspannung . . Vref bis 36 V

TL072

Dualer Universal-Operationsverstärker mit JFET-Eingang mit geringem Rauschen

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• Geringer Stromverbrauch
• Großer Spannungsbereich im Gleichtakt- und differentiellen Modus
• Niedriger Eingangsruhestrom und niedriger Offset-Strom:
• Ausgangs-Kurzschlussschutz
• Niedriger Gesamtklirrfaktor ... 0,003 % typ.
• Geringes Rauschen
  V_n = 18 nV/√Hz typ. bei f = 1 kHz
• Hohe Eingangsimpedanz . . . JFET-Eingangsstufe
• Interne Frequenzkompensation
• Betrieb ohne Latch-Up
• Hohe Flankensteilheit . . . 13 V/µs typ.
• Gleichtaktmodus-Spannungsbereich am Eingang einschl. V_CC+

TL074

Vierf. Universal-Operationsverstärker mit JFET-Eingang mit geringem Rauschen

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• Geringer Stromverbrauch
• Großer Spannungsbereich im Gleichtakt- und differentiellen Modus
• Niedriger Eingangsruhestrom und niedriger Offset-Strom:
• Ausgangs-Kurzschlussschutz
• Niedriger Gesamtklirrfaktor ... 0,003 % typ.
• Geringes Rauschen
  V_n = 18 nV/√Hz typ. bei f = 1 kHz
• Hohe Eingangsimpedanz . . . JFET-Eingangsstufe
• Interne Frequenzkompensation
• Betrieb ohne Latch-Up
• Hohe Flankensteilheit . . . 13 V/µs typ.
• Gleichtaktmodus-Spannungsbereich am Eingang einschl. V_CC+

TL084

Operationsverstärker mit JFET-Eingang

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• Geringer Stromverbrauch
• Großer Spannungsbereich im Gleichtakt- und differentiellen Modus
• Niedriger Eingangsruhestrom und niedriger Offset-Strom:
• Ausgangs-Kurzschlussschutz
• Niedriger Gesamtklirrfaktor...0,003 % typ.
• Hohe Eingangsimpedanz...JFET-Eingangsstufe
• Betrieb ohne Latch-Up
• Hohe Flankensteilheit... 13 V/μs typ.
• Gleichtaktmodus-Spannungsbereich am Eingang einschl. V_CC+

UA741

Universal-Operationsverstärker

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• Kurzschlussschutz
• Offset-Stromstärke 0 möglich
• Großer Spannungsbereich im Gleichtakt- und differentiellen Modus
• Keine Frequenzkompensation erforderlich
• Geringer Stromverbrauch
• Kein Latch-Up
• Austauschbar mit Fairchild uA741

L293D

Vierfach-Half-H-Treiber

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• Unitrode L293 und L293D jetzt von Texas Instruments
• Großer Versorgungsspannungsbereich: 4,5 V bis 36 V
• Separate Versorgung für Eingangslogik
• Interner ESD-Schutz
• Thermische Abschaltung
• Eingänge mit geringer Rauschempfindlichkeit
• Funktioneller Ersatz für SGS L293 und SGS L293D
• Ausgangsstrom 1 A pro Kanal (600 mA für L293D)
• Spitzenausgangsstrom 2 A pro Kanal (1,2 A für L293D)
• Klemmdioden am Ausgang zur Unterdrückung von induktiven Transienten (L293D)

LMV321

Einf. Niederspannungs-Operationsverstärker mit Rail-to-Rail-Ausgang

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• Betriebsspannung 2,7 V und 5 V
• Betrieb bei -40 °C bis 125 °C
• Low-Power-Abschaltmodus (LMV324S)
• Keine Übergangsverzerrung
• Niedriger Versorgungsstrom
  • LMV321 . . . 130 μA typ.
  • LMV358 . . . 210 μA typ.
  • LMV324 . . . 410 μA typ.
  • LMV324S . . . 410 μA typ.
• Rail-to-Rail-Ausgangshub:
• ESD-Schutz übertrifft JESD 22
  • 2000 V Menschmodell (A114-A)
  • 1000 V Geräteentladungsmodell (C101)

MAX232

Zweif. EIA-232-Treiber/Empfänger

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• TIA/EIA-232-F und ITU-Empfehlungen V.28 werden erfüllt bzw. übertroffen
• Betrieb mit einzelner 5-V-Stromversorgung mit 1,0-µF-Kondensatoren mit Ladungspumpe
• Betrieb mit bis zu 120 kbit/s
• Zwei Treiber und zwei Empfänger
• ±30-V-Eingangspegel
• Geringer Versorgungsstrom ---(8 mA typ.)
• ESD-Schutz übertrifft JESD 22
  • 2000 V Menschmodell (A114-A)
• Upgrade mit verstärktem ESD-Schutz (15 kV HBM) und 0,1-µF-Kondensatoren mit Ladungspumpe für MAX202 verfügbar
• Anwendungen
  • TIA/EIA-232-F, batteriegespeiste Systeme, Terminals, Modems und Computer

OP07C

Operationsverstärker mit geringer Offset-Spannung

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• Geringes Rauschen:
• Keine externen Komponenten erforderlich
• Ersatz für Zerhackerverstärker bei niedrigeren Kosten
• Großer Eingangsspannungsbereich
  . . . 0 bis ±14 V typ.
• Großer Versorgungsspannungsbereich
  . . . ±3 V bis ±18 V

ESD/EMI

Der Schutz vor elektrostatischen Entladungen auf Systemebene (ESD) ist heute sehr wichtig geworden, da die Geräte tragbar werden, über mehrere Schnittstellen und Touchscreens verfügen und äußeren Einwirkungen ausgesetzt sind. Eine einzige statische Entladung kann ein Produkt dauerhaft beschädigen. Damit ist der ESD-Schutz eine lebenswichtige Komponente des Systemdesigns. Elektromagnetische Interferenz (EMI) ist eine weitere Herausforderung, die im Systemdesign oft anzutreffen ist. EMI ist eine Störung durch Hochfrequenz (800 MHz bis 2 GHz) aus einer externen Quelle, die aufgrund von elektromagnetischer Leitung elektrische Schaltkreise beeinflusst. TI produziert ESD- und EMI-Bausteine mit Lösungen, die fast alle externen Verbindungen zur Außenwelt schützen.

TPD4E001

+/-15 kV ESD-Schutz-Array mit 4 Kanälen und niedriger Kapazität

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• 4-Kanal-ESD-Klemmenleiste zur Verbesserung des ESD-Schutzes auf Systemebene
• Übertrifft ESD-Schutz nach IEC61000-4-2 (Level 4)
• Kontaktentladung von ±8 kV gemäß IEC 61000-4-2
• Luftspaltentladung von ±15 kV gemäß IEC 61000-4-2
• ±15 kV Menschmodell (HBM)
• Spitzenimpulsstrom 5,5 A (8/20-µs-Impuls)
• Niedrige Eingangskapazität 1,5 pF

TPD4S014

Komplette Single-Chip-Lösung zum Schutz des Anschlusses für USB-Ladegeräte

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• Eingangsspannungsschutz am VBUS bis zu 28 V
• nFET-Schalter mit niedrigem Ron
• Unterstützt Ladestrom über 2 A
• Funktionen zum Sperren von Über- und Unterspannung

TPD4E001

+/-15 kV ESD-Schutz-Array mit 4 Kanälen und niedriger Kapazität für Hochgeschwindigkeitsdatenschnittstellen

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• 4-Kanal-ESD-Klemmenleiste zur Verbesserung des ESD-Schutzes auf Systemebene
• Übertrifft ESD-Schutz nach IEC61000-4-2 (Level 4)
  • Kontaktentladung von ±8 kV gemäß IEC 61000-4-2
  • Luftspaltentladung von ±15 kV gemäß IEC 61000-4-2
• ±15 kV Menschmodell (HBM)
• Spitzenimpulsstrom 5,5 A (8/20-µs-Impuls)
• Niedrige Eingangskapazität 1,5 pF
• Niedriger Leckstrom von max. 1 nA
• Eingangsspannungsbereich von 0,9 V bis 5,5 V
• Platzsparende DRL-, DBV-, DCK- und DRS-Gehäuse
• Als Alternative 2-, 3-, 6-Kanalversionen lieferbar: TPD2E001, TPD3E001 und TPD6E001

TPD8E003

ESD-Array mit 8 Kanälen für tragbare Anwendungen mit geringem Platzanspruch

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• 8-Kanal-ESD-Klemmenleiste zur Verbesserung des ESD-Schutzes auf Systemebene
• Übertrifft ESD-Schutz nach IEC61000-4-2 (Level 4)
  • Kontaktentladung von ±12 kV gemäß IEC 61000-4-2
  • Luftspaltentladung von ±15 kV gemäß IEC 61000-4-2
• Spitzenimpulsstrom 3,5 A (8/20-µs-Impuls)
• ±15 kV Menschmodell (HBM)
• Niedrige Blockierspannung: 6 V
• Niedriger Leckstrom
• Platzsparende ultradünne bleifreies [WSON (DQD)] Gehäuse mit geringen Abmessungen (0,4-mm-Raster)
• ANWENDUNGEN
  • Tastenfeld
  • Touch-Screen-Schnittstelle
  • SPEICHERSCHNITTSTELLE
  • Docking -Anschluss-Schnittstelle

TPD7S019

Integrierte ESD-Lösung mit 7 Kanälen für VGA-Port mit integriertem Pegel-Shifter

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• 7-Kanal-ESD-Schutz mit Pegel-Shifting, Impedanzanpassung für Pufferung und Synchronisierung
• Übertrifft ESD-Schutzanforderungen nach IEC61000-4-2 (Level 4) an den externen Pins
  • ±15 kV Menschmodell (HBM)
  • Kontaktentladung von ±8 kV gemäß IEC 61000-4-2
• Sehr niedrige Lastkapazität durch ESD-Schutz-Dioden auf den VIDEO-Leitungen (2,5 pF)
• 5-V-Treiber für HSYNC- und VSYNC-Leitungen
• Integrierte Impedanzanpassungswiderstände auf Sync-Leitungen:
  • TPD7S019-65: 65-Ω-Terminierung
  • TPD7S019-15: 15-Ω-Terminierung
  • TPD7S019-55: 55-Ω-Terminierung
• Bidirektionale N-Kanal-FETs mit Pegel-Shift für DDC_CLK- und DDC_DATA-Kanäle
• Die einreihige Flow-Through-Pinzuordnung vermeidet zusätzliche Anforderungen an das
  Platinenlayout und verlegt den ESD-Schutz-Chip in die Nähe des Steckverbinders
• ANWENDUNGEN
  • VGA- und DVI-I-Anschlüsse in:
    • Desktop-PCs und Notebooks
    • Grafikkarten
    • Set-Top-Boxen
    • TV

TPD2S017

2-Kanal-ESD-Lösung mit besonders geringer Klemmenspannung und Isolation durch in Serie geschaltete Widerstände

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• Die besonders niedrige Klemmspannung garantiert den Schutz von
  Kernchips mit extrem geringer Spannung während eines ESD-Ereignisses
• Übertrifft ESD-Schutz gemäß IEC61000-4-2 (Level 4)
• Anpassung von in Serie geschalteten Widerständen (R =1 Ω) mit ±8 mΩ (typ.)
• Kapazitätsanpassung am Eingang von differentiellen Kanälen von 0,02 pF (typ.)
• Schnelle Datenraten und EMI-Filteraktion bei hohen Frequenzen
  (–3 dB Bandbreite, &asymp;3 GHz)
• Verfügbar im 6-Pin-Small-Outline-Transistor-Gehäuse [SOT (DBV)]
• Die einreihige Flow-Through-Pinzuordnung auf den Hochgeschwindigkeits-
  Leitungen vermeidet zusätzliche Anforderungen an das Platinenlayout und verlegt
  den ESD-Schutz-Chip in die Nähe des Steckverbinders
• ANWENDUNGEN
  • Hi-Speed-USB
  • IEEE 1394-Schnittstelle
  • Niederspannungs-Differenzsignalübertragung (LVDS)
  • MDDI (Mobile Display Digital Interface)/MIPI (Mobile
    Industry Processor Interface)
  • HS-Signal

TPD12S015A

HDMI-Companion-Chip mit DC-DC-Aufwärtswandler, I2C-Pegel-Shifter und Hochgeschwindigkeits-ESD-Klemmen für portable Anwendungen

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• Erfüllt die HDMI-Compliance-Tests ohne externe Komponenten
• Unterstützt Datenraten gemäß HDMI 1.4
• Entspricht der Pin-Belegung von Klasse D und Klasse C
• Ausgezeichnete Anpassungskapazität (0,05 pF) für jedes differentielle Signalpaar
• Interner Aufwärtswandler zu Erzeugung von 5 V aus einer Batteriespannung von 2,3 bis 5,5 V
• Pegel-Shift mit automatischer Erkennung der Richtung in EC-, SDA- und SCL-Pfaden
• ESD-konform auf Systemeben nach IEC 61000-4-2 (Level 4)
• Verbesserter schneller Ersatz für den beliebten TPD12S015
• Industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 85°C

TPD1E10B09

Einkanal-ESD-Schutz in 0402-Gehäuse mit 10 pF-Kondensator und Durchbruchspannung von 9 V

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• Bietet ESD-Schutz auf Systemebene für Niederspannungs-E/A-Schnittstellen
• IEC 61000-4-2 Level 4
  • ±20kV (Luftspaltentladung)
  • ± 20kV (Kontaktentladung)
• IEC 61000-4-5 (Stoßwellen): 4,5 A (8/20 µs)
• E/A-Kapazität 10 pF (typ.)
• R_DYN 0,5 Ω (typ.)
• DC-Durchschlagspannung ±9,5 V (min.)
• Besonders geringer Leckstrom: 100 nA (typ.)
• 13 V Klemmenspannung (max. bei I_PP = 1A)
• Industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 125°C
• Platzsparendes Gehäuse 0402 (1 mm x 0,6 mm x 0,5 mm)

TPD1E10B06

Einkanal-ESD-Schutz in 0402-Gehäuse mit 10 pF-Kondensator und Durchbruchspannung von 6 V

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• Bietet ESD-Schutz auf Systemebene für Niederspannungs-E/A-Schnittstellen
• IEC 61000-4-2 Level 4
  • > ±30kV (Luftspaltentladung)
  • > ± 30kV (Kontaktentladung)
• IEC 61000-4-5 (Stoßwellen): 6 A (8/20 µs)
• E/A-Kapazität 12 pF (typ.)
• R_DYN 0,4 Ω (typ.)
• DC-Durchschlagspannung ±6 V (min.)
• Besonders geringer Leckstrom: 100 nA (typ.)
• 10 V Klemmenspannung (max. bei I_PP = 1A)
• Industrieller Temperaturbereich: -40 °C bis 125°C
• Platzsparendes Gehäuse 0402 (1 mm x 0,6 mm x 0,5 mm)

Analogschalter

Unter den heutigen Wettbewerbsbedingungen ist ständig höhere Leistung gefragt. Eine übliche Methode zur Optimierung der Systemleistung besteht in der Verwendung von FET-Schaltern oder Signalschaltern, die eine bidirektionale Hochgeschwindigkeits-Busschnittstelle zwischen DSPs, CPUs, Industriestandard-Bussen, Arbeitsspeicher und Peripheriegeräten bilden. Das Signalschalter-Portfolio von Texas Instruments umfasst Digital- und Analogschalter sowie Spezialschalter, die einen Hochleistungs-Low-Power-Ersatz für Standard-Busschnittstellen-Bausteine bieten, wenn keine Pufferung von Signalen erforderlich ist.

Analogschalter

TS3DDR3812

12-Kanal-1:2-MUX/DEMUX-Schalter für Hochgeschwindigkeits-Anwendungen

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• Große Bandbreite von 1,675 GHz
• Geringe Laufzeitverzögerung (t_pd = 40 ps typ.)
• Geringer Bitversatz (t_sk(o) = 6 ps max.)
• V_CC-Betriebsbereich von 3 V bis 3,6 V

TS5USBA224

USB 2.0 High-Speed (480 Mb/s) und Audio-Schalter mit Negativsignalfunktion

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• High-Speed-USB-Schalter:
  • 4 Ω R_DSON typ.
  • 12,5 pF C_ON typ.
  • Bandbreite 650MHz (–3 dB)
• Audio-Schalter:
  • 3 Ω R_DSON typ.
  • Kann an der negativen Schiene betrieben werden
  • Niedriger THD: <0,05 %
  • Interne Shunt-Widerstände zum Entfernen von Knacken und Knistern
  • Speisung mit V_AUDIO (2,7 V bis 5,5 V)
• 1,8-V-kompatibler Schwellenwert am Steuereingang (A_SEL und V_BUS)
• ESD-Schutz getestet gemäß JESD 22

TS5A22362

Dualer 0,65-Ohm-SPDT-Analogschlater, der an der negativen Schiene betrieben werden kann

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• Für Break-Before-Make-Schalten spezifiziert
• Negative Signalverarbeitung möglich: Maximaler Hub
  von –2,75 V bis 2,75 V (V₊ = 2,75 V)
• Der interne Nebenschlussschalter verhindert hörbares Knacken und Knistern
  beim Umschalten zwischen zwei Quellen (TS5A22364)
• Geringer EIN-Widerstand: 0,65 Ω typ.
• Niedrige Ladungsinjektion
• Exzellenter Widerstandsabgleich im EIN-Zustand
• Stromversorgung 2,3 V bis 5,5 V (V₊)
• Latch-Up-Leistung übersteigt 100 mA gemäß JESD 78, Klasse II
• ESD-Schutz getestet gemäß JESD 22
  • 2500 V Menschmodell (A114-B, Klasse II)
  • 1500 V Geräteentladungsmodell (C101)
  • 200 V Maschinenmodell (A115-A)
• ANWENDUNGEN
  • Handys
  • PDAs
  • Tragbare Messgeräte
  • Audio-Routing
  • Medizinische Bildgebung

TS3USB221

Multiplexer/Demultiplexer-Schalter mit Einfachaktivierung für High-Speed USB 2.0 (480 Mb/s)

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• V_CC-Betrieb mit 2,5 V und 3,3 V
• V_I/O akzeptiert Signale bis zu 5,5 V
• 1,8-V-kompatible Steuereingänge
• Low-Power-Modus, wenn OE deaktiviert ist (1 µA)
• r_ON = 6 Ω max.
• Δr_ON = 0,2 Ω typ.
• C_io(on) = 6 pF max.
• Niedriger Stromverbrauch (30 µA max.)
• ESD > 2000 V Menschmodell (A114-A)
• Hohe Bandbreite (1,1 GHz typ.)
• ANWENDUNGEN
  • Signalrouting für USB 1.0, 1.1 und 2.0
  • MIPI-Signalrouting (Mobile Industry Processor Interface)

TS3USB30

Multiplexer/Demultiplexer-Schalter mit Einfachaktivierung für High-Speed USB 2.0 (480 Mb/s)

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• V_CC-Betrieb mit 3 V und 4,3 V
• 1.8-V-kompatible Steuereingänge
• I_off unterstützt den partiellen Abschaltbetrieb
• r_ON = 10 Ω max.
• Δr_ON < 0,35 Ω typ.
• C_io(ON) = 7 pF typ.
• Niedriger Stromverbrauch (1 µA max.)
• ESD-Schutz getestet gemäß JESD 22
  • 6000 V Menschmodell (HBM)
    (A114-B, Klasse II)
  • 1000 V Geräteentladungsmodell (C101)
  • 250 V Maschinenmodell (A115-A)
• -3-dB-Bandbreite = 955 MHz typ.
• Im 10-Pin-TQFN-Gehäuse (1,4 mm × 1,8 mm)
• ANWENDUNGEN
  • Signalrouting für USB 1.0, 1.1 und 2.0
  • MIPI-Signalrouting (Mobile Industry Processor Interface)

TS5A23159

Dualer 1-Ohm-Analogschalter, 5 V/3,3 V 2-Kanal-2:1-Multiplexer/Demultiplexer

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• Isolation im Abschaltmodus, V₊ = 0
• Für Break-Before-Make-Schalten spezifiziert
• Geringer EIN-Widerstand (1 Ω)
• 5,5-V-tolerante Steuereingänge
• Niedrige Ladungsinjektion
• Exzellenter Widerstandsabgleich im EIN-Zustand
• Niedriger Gesamtklirrfaktor (THD)
• Einzelversorgungsbetrieb mit 1,65 V bis 5,5 V
• Latch-Up-Leistung übersteigt 100 mA gemäß JESD 78, Klasse II
• ESD-Schutz getestet gemäß JESD 22
  • 2000 V Menschmodell
    (A114-B, Klasse II)
  • 1000 V Geräteentladungsmodell (C101)
• Anwendungen
  • Handys
  • PDAs
  • Tragbare Messgeräte
  • Audio- und Video-Signalrouting
  • Niederspannungs-Datenerfassungssysteme
  • Kommunikationsschaltungen
  • Modems

TS5USBA224

USB 2.0 High-Speed (480 Mb/s) und Audio-Schalter mit Negativsignalfunktion

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• High-Speed USB-Switch:
  • 4 Ω R_DSON typ.
  • 12,5 pF C_ON typ.
  • Bandbreite 650MHz (–3 dB)
• Audio-Schalter:
  • 3 Ω R_DSON typ.
  • Kann an der negativen Schiene betrieben werden
  • Niedriger THD: <0,05 %
  • Interne Shunt-Widerstände zur Reduzierung von Knacken und Knistern
  • Speisung mit V_AUDIO (2,7 V bis 5,5 V)
• 1,8-V-kompatibler Schwellenwert am Steuereingang (A_SEL und V_BUS)
• I_off unterstützt den partiellen Abschaltbetrieb
• ESD-Schutz getestet gemäß JESD 22
  • 2000 V Menschmodell
    (A114-B, Klasse II)
  • 1000 V Geräteentladungsmodell (C101)
  • 200 V Maschinenmodell (A115-A)
• ANWENDUNGEN
  • Mobiltelefone
  • Personal Digital Assistants (PDAs)
  • Tragbare Messgeräte

TSU6111

Zweif. SP2T-Micro-USB-Schalter mit integrierter Erkennung von Impedanz und Ladegerät

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• Zweif. SP2T
  • USB- und UART-Pfad unterstützen USB 2.0 High Speed
• Intelligente Erkennung
  • Erkennung von eingesteckten und entfernten Geräten
  • Erkennung von USB-Ladegeräten
  • Impedanzerkennung
  • Erkennung ist kompatibel mit CEA-936A
    (4-Draht-Protokoll, UART-Schnittstelle)
• Erkennung von Ladegeräten
  • Konform mit USB BCDv1.1
  • VBUS-Erkennung
  • Datenkontakterkennung
  • Primäre und sekundäre Erkennung
• Kompatibles Zubehör
  • USB-Kabel
  • UART-Kabel
  • USB-Ladegerät BCDv1.1
• Zusätzliche Funktionen
  • I²C-Schnittstelle zum Host-Prozessor
  • Unterstützt in der Produktion verwendete Steuersignale (JIG, BOOT)
  • Unterbrechung beim Einstecken und Entfernen von Zubehör

TS3A24159

Zweif. 0,3-Ohm-SPDT-Analogschalter, Zweikanal-2:1-Multiplexer/Demultiplexer

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• Für Break-Before-Make-Schalten spezifiziert
• Geringer EIN-Widerstand: 0,3 Ω typ.
• Niedrige Ladungsinjektion
• Exzellenter Widerstandsabgleich im EIN-Zustand
• Niedriger Gesamtklirrfaktor (THD)
• Einzelversorgungsbetrieb mit 1,65 V bis 3,6 V
• 5,5-V-tolerante Steuereingänge
• Latch-Up-Leistung übersteigt 100 mA gemäß JESD 78, Klasse II
• • ESD-Schutz getestet gemäß JESD 22
  • 2000 V Menschmodell (A114-B, Klasse II)
  • 1000 V Geräteentladungsmodell (C101)

Lastschalter

Die TPS229xx-Familie integrierter Lastschalter von TI bietet eine einfache Lösung für die Optimierung des Stromverbrauchs in einem System durch Verminderung des Leckstroms. Diese Lastschalter wurden speziell als Lösung für die Anforderungen des Strommanagements bei tragbaren Geräten entwickelt. In ihnen sind die Hauptfunktionen eines diskreten Lastschalters auf einem einzigen Chip vereinigt. Sie bieten maximale Leistung und Flexibilität für den Endanwender. Mit integrierten Lastschalten können Architekturen mit verteiltem Energiemanagement einfach implementiert und nicht benötigte Anwendungen heruntergefahren werden.

TPS22946

Ultra-Low-Power-Lastschalter mit niedriger Eingangsspannung und Strombegrenzung

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• Extrem niedriger Ruhestrom von 1 µA (typ.)
  bei V_IN = 1,8 V
• Eingangsspannungsbereich: 1,62 V bis 5,5 V
• Geringer EIN-Widerstand
  • r_ON = 300 mΩ bei V_IN = 5,5 V
  • r_ON = 400 mΩ bei V_IN = 3,3 V
  • r_ON = 500 mΩ bei V_IN = 2,5 V
  • r_ON = 600 mΩ bei V_IN = 1,8 V
• Wählbare minimale Strombegrenzung:
  155 mA, 70 mA oder 30 mA
• Integriertes Einschaltstrom-Timeout (8 ms)
• Ausschaltstrom: <1 µA
• Thermische Abschaltung
• Fehlerverzögerungsfunktion
• Automatischer Neustart
• Überstrom-Timeout (Automatische Deaktivierung
  bei dauerhaftem Überstrom)
• 1,8-V-kompatibler Steuereingang
• ESD-Schutz getestet gemäß JESD 22
  • 6000 V Menschmodell
    (A114-B, Klasse II)
• Kleines WCSP-Gehäuse (14 mm &timews; 0,9 mm (YZP)
• ANWENDUNGEN
  • Schutz von Fingerabdruck-Modulen

TPS22941

40-mA-Lastschalter mit niedriger Eingangsspannung, Strombegrenzung, Abschaltung und automatischem Neustart

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• Eingangsspannungsbereich: 1,62 V bis 5,5 V
• Geringer EIN-Widerstand
  • r_ON = 0,4 mΩ bei V_IN = 5,5 V
  • r_ON = 0,5 mΩ bei V_IN = 3,3 V
  • r_ON = 0,6 mΩ bei V_IN = 2,5 V
  • r_ON = 0,8 mΩ bei V_IN = 1,8 V
• Minimale Strombegrenzung: 40 mA oder 100 mA
• Unterspannungsabschaltung
• Thermische Abschaltung
• Ausschaltstrom: <1 µA
• Schnelle Reaktion der Strombegrenzung
• Fehlerverzögerungsfunktion
• Automatischer Neustart
• 1,8-V-kompatible Schellenwerte am Steuereingang
• ESD-Schutz getestet gemäß JESD 22
  • 4000 V Menschmodell
    (A114-B, Klasse II)
  • 1000 V Geräteentladungsmodell (C101)
• Kleines SC-70-Gehäuse (DCK)
• ANWENDUNGEN
  • Schutz für Sensoren mit niedriger Stromstärke

TPS22904

Extrem kleiner Lastschalter mit niedriger Eingangsspannung, niedrigem rON und schneller Ausgangsentladung

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• Eingangsspannung: 1,1 V bis 3,6 V
• Extrem niedriger EIN-Widerstand
  • r_ON = 66 mΩ bei V_IN = 3,6 V
  • r_ON = 75 mΩ bei V_IN = 2,5 V
  • r_ON = 90 mΩ bei V_IN = 1,8 V
  • r_ON = 135 mΩ bei V_IN = 1,2 V
• Maximaler Dauerschaltstrom: 500 mA
• Ruhestrom: <1 µA
• Ausschaltstrom: <1 µA
• Niedriger Schwellenwert am Steuereingang ermöglicht den Einsatz von 1,2-V/1,8-V/2,5-V/3,3-V-Logik
• Kontrollierte Anstiegsrate (5 µs max. bei 3,6 V)
• Schnelle Ausgangsentladung (nur TPS22904)
• ESD-Schutz getestet gemäß JESD 22
  • 2000 V Menschmodell
    (A114-B, Klasse II)
  • 1000 V Geräteentladungsmodell (C101)
• Wafer Chip-Scale-Gehäuse (WCSP) mit 4 Anschlüssen
  • 0,8 mm × 0,8 mm,
    Raster 0,4 mm, Höhe 0,5 mm
• ANWENDUNGEN
  • PDAs
  • Handys

TPS22929D

Niedrige Eingangsspannung, 1,8-A-Einkanal-Lastschalter mit steuerbarem Schaltregler

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• Integrierter Einzellastschalter
• Kompaktes SOT34-6-Gehäuse
• Eingangsspannungsbereich: 1,4 V bis 5,5 V
• Geringer EIN-Widerstand
  • r_ON = 115 mΩ bei VIN = 5 V
  • r_ON = 115 mΩ bei VIN = 3,3 V
  • r_ON = 118 mΩ bei VIN = 2,5 V
  • r_ON = 129 mΩ bei VIN = 1,5 V
• Dauerschaltstrom 1,8 A (25C)
• Niedrigschwelliger Steuereingang
• Kontrollierte Optionen bei Flankensteilheit
• Unterspannungssperre
• Schnellentladungstransistor für Ausgang
• Rückstromschutz

TPS22913C

Extrem kleiner 2-A-Einkanal-Lastschalter mit niedrigem rON und kontrolliertem Einschaltverhalten

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• Integrierter Einzellastschalter
• Ultrakleines CSP-4-Gehäuse mit 0,9 × 0,9 x 0,5 mm Raster
• Eingangsspannungsbereich: 1,4 V bis 5,5 V
• Geringer EIN-Widerstand
  • r_ON = 60 mΩ bei VIN = 5 V
  • r_ON = 61 mΩ bei VIN = 3,3 V
  • r_ON = 74 mΩ bei VIN = 1,8 V
  • r_ON = 84 mΩ bei VIN = 1,5 V
• Maximaler Dauerschaltstrom 2 A
• Niedrigschwelliger Steuereingang
• Kontrollierte Optionen bei Flankensteilheit
• Unterspannungssperre
• Schnellentladungstransistor für Ausgang
• Rückstromschutz

TPS22912C

2-A-Einkanal-Lastschalter mit niedriger Eingangsspannung und kontrolliertem Einschaltverhalten

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• Integrierter Einzellastschalter
• Ultrakleines CSP-4-Gehäuse mit 0,9 × 0,9 x 0,5 mm Raster
• Eingangsspannungsbereich: 1,4 V bis 5,5 V
• Geringer EIN-Widerstand
  • r_ON = 60 mΩ bei VIN = 5 V
  • r_ON = 61 mΩ bei VIN = 3,3 V
  • r_ON = 74 mΩ bei VIN = 1,8 V
  • r_ON = 84 mΩ bei VIN = 1,5 V
• Maximaler Dauerschaltstrom 2 A
• Niedrigschwelliger Steuereingang
• Kontrollierte Optionen bei Flankensteilheit
• Unterspannungssperre
• Rückstromschutz

TPS22910A

Extrem kleiner 2-A-Einkanal-Lastschalter mit niedrigem rON und kontrolliertem Einschaltverhalten

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• Integrierter Einzellastschalter
• Ultrakleines CSP-4-Gehäuse mit 0,9 × 0,9 x 0,5 mm Raster
• Eingangsspannungsbereich: 1,4 V bis 5,5 V
• Geringer EIN-Widerstand
  • r_ON = 60 mΩ bei VIN = 5 V
  • r_ON = 61 mΩ bei VIN = 3,3 V
  • r_ON = 74 mΩ bei VIN = 1,8 V
  • r_ON = 84 mΩ bei VIN = 1,5 V
• Maximaler Dauerschaltstrom 2 A
• Niedrigschwelliger Steuereingang
• Kontrollierte Optionen bei Flankensteilheit
• Unterspannungssperre
• Rückstromschutz

I²C

Da Schaltungen mit mehreren Peripherieverbindungen immer komplexer werden, wird eine Methode zur Vereinfachung von Designs und zur Reduzierung von Kosten benötigt. Der I2C-Bus erfüllt diese Anforderungen durch Begrenzung der Anzahl der Leiterbahnen von gedruckten Schaltungen und der Nutzung der GPIO-Anschlüsse des Mikroprozessors. Die E/A-Expander, Multiplexer, Puffer und Repeater von Texas Instruments unterstützen Designer dabei, eine effektive Kommunikation zwischen und Verbindung von Teilsystemen durch den Einsatz bewährter I²C-Bausteine zu erreichen. Der I²C-Bus verfügt über zwei aktive Leitungen: die bidirektionale serielle Datenleitung (SDA) und die bidirektionale serielle Taktleitung (SCL). Das I²C-Portfolio von TI umfasst die TCA-, PCA- und PCF-Technologie.

TCA5405

5-Bit-Niedervolt-Eindraht-Ausgangs-Expander mit eigenem Timing

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• Versorgungsspannung im Bereich von 1,65 V bis 3,6 V
• Fünf unabhängige Push-Pull-Ausgänge
• Der einzige Eingang (DIN) steuert den Zustand aller Ausgänge
• Hochstromausgänge zur direkten Ansteuerung von LEDs
• Latch-Up-Leistung übersteigt 100 mA gemäß JESD 78, Klasse II

TCA6416A

16-Bit-Niederspannungs-I²C- und SMBus-E/A-Expander

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• Versorgungsspannung im Bereich von 1,65 V bis 5,5 V
• Expander I²C auf Parallelport
• Geringer Stromverbrauch im Standby von 3 µA
• Schmitt-Trigger-Schaltung ermöglicht langsame Übersetzung am Eingang und geringeres Schaltrauschen an den SCL- und SDA-Eingängen

PCA9306

Zweif. bidirektionaler I2C-Bus- und SMBus-Spannungspegelumsetzer

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• Bidirektionaler 2-BitUmsetzer für SDA- und SCL-Leitungen
  in I²C-Anwendungen im Mischmodus
• I²C- und SMBus-kompatibel
• Weniger als 1,5 ns maximale Laufzeitverzögerung für I²C-Bausteine und Mehrfach-Master im Standard- und
  Fast-Modus.
• Erlaubt Spannungspegelumsetzung zwischen
  • 1,2-V V_REF1 und 1,8-V, 2,5-V, 3,3-V,
    oder 5-V V_REF2
  • 1,8-V V_REF1 und 2,5-V, 3,3-V, oder 5-V V_REF2
  • 2,5-V V_REF1 und 3,3-V, oder 5-V V_REF2
  • 3,3-V V_REF1 und 5-V V_REF2
• Bietet bidirektionale Spannungsumsetzung ohne Richtungsanschluss
• Niedrige 3,5-Ω-ON-State-Verbindung zwischen Eingängen und Ausgängen
  sorgt für geringere Signalverzerrung
• Open-Drain I²C-E/A-Anschlüsse (SCL1, SDA1, SCL2, und SDA2)
• 5-V-tolerante I²C-E/A-Anschlüsse für den Betrieb im Mixed-Modus
• SCL1-, SDA1-, SCL2- und SDA2-Pins mit hoher Impedanz bei EN = Low
• Blockierungsfreier Betrieb bei Isolation wenn EN = Low
• Flow-Through-Pinout zur Erleichterung der Leiterbahnführung bei gedruckten Schaltungen
• Latch-Up-Leistung übertrifft 100 mA gemäß JESD 78, Klasse II
• ESD-Schutz übertrifft JESD 22
  • 2000 V Menschmodell (A114-A)
  • 200 V Maschinenmodell (A115-A)
  • 1000 V Geräteentladungsmodell (C101)

TCA6408A

8-Bit-Niederspannungs-I2C- und SMBus-E/A-Expander

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• Versorgungsspannung im Bereich von
  1,65 V bis 5,5 V
• Ermöglicht bidirektionale Spannungspegelumsetzung und
  GPIO-Erweiterung zwischen:
  • 1,8-V SCL/SDA und 1,8-V, 2.5-V,
    3,3-V, oder 5-V P Port
  • 2,5-V SCL/SDA und 1,8-V, 2,5-V,
    3,3-V, oder 5-V P Port
  • 3,3-V SCL/SDA und 1,8-V, 2.5-V,
    3,3-V, oder 5-V P Port
  • 5-V SCL/SDA und 1,8-V, 2,5-V,
    3,3-V, oder 5-V P Port
• Expander I²C auf Parallelport
• Geringer Stromverbrauch im Standby von 1 µA
• Schmitt-Trigger-Schaltung ermöglicht langsame Übersetzung am Eingang und
  geringeres Schaltrauschen an den SCL- und SDA-Eingängen
  • V_hys = 0,18 V typ. bei 1,8 V
  • V_hys = 0,25 V typ. bei 2,5 V
  • V_hys = 0,33 V typ. bei 3,3 V
  • V_hys = 0,5 V typ. bei 5 V
• 5-V-tolerante E/A-Anschlüsse
• Active-Low-Reset-Eingang (RESET)
• Open-Drain-Active-Low-Unterbrechungseingang (INT)
• 400 kHz schneller I²C-Bus
• Konfigurationsregister für Eingang/Ausgang
• Register für Polaritätsumkehrung
• Interner Einschalt-Reset

TCA6424A

24-Bit-Niederspannungs-I2C- und SMBus-E/A-Expander

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• Versorgungsspannung im Bereich von 1,65 V bis 5,5 V
• Ermöglicht bidirektionale Spannungspegelumsetzung und GPIO-Erweiterung zwischen:
  • 1,8 V SCL/SDA und
    1,8 V, 2,5 V, 3,3 V oder 5 V P Port
  • 2,5 V SCL/SDA und
    1,8 V, 2,5 V, 3,3 V oder 5 V P Port
  • 3,3 V SCL/SDA und
    1,8 V, 2,5 V, 3,3 V oder 5 V P Port
  • 5 V SCL/SDA und
    1,8 V, 2,5 V, 3,3 V oder 5 V P Port
• Expander I²C auf Parallelport
• Geringer Stromverbrauch im Standby von 1 µA
• Schmitt-Trigger-Schaltung ermöglicht langsame Übersetzung am Eingang und
  geringeres Schaltrauschen an den SCL- und SDA-Eingängen
  • V_hys = 0,18 V typ. bei 1,8 V
  • V_hys = 0,25 V typ. bei 2,5 V
  • V_hys = 0,33 V typ. bei 3,3 V
  • V_hys = 0,5 V typ. bei 5 V
• 5-V-tolerante E/A-Anschlüsse
• Active-Low-Reset-Eingang (RESET)
• Open-Drain-Active-Low-Unterbrechungsausgang (INT)
• 400 kHz schneller I²C-Bus
• Konfigurationsregister für Eingang/Ausgang
• Register für Polaritätsumkehrung
• Interner Einschalt-Reset

TCA6507

7-Bit-Niederspannungs-I2C und SMBus-LED-Treiber mit Intensitätssteuerung und Abschaltung

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• Sieben Ausgänge zur Ansteuerung von LEDs: Ein, Aus, programmierbares Blinken und Dimmen
• Open-Drain-Ausgänge steuern LEDs mit max. 40 mA an
• Kann als zwei unabhängige Bänke von LED-Treibern konfiguriert werden
• Frei programmierbare Blinkfrequenz, Dimmgeschwindigkeit und maximale Helligkeit
• LED-Helligkeit wird über Pulsweitenmodulation (PWM) eingestellt
• Ausgänge, die nicht zur LED-Ansteuerung verwendet werden, können als normale Open-Drain-Universalausgänge genutzt werden
• Steuerung der maximalen Intensität in 16 Stufen von vollständig aus bis vollständig ein
• 256 Intensitätsstufen beim Ein- oder Ausblenden sorgen für einen stetigen Übergang
• Versorgungsspannung im Bereich von 1,65 V bis 3,6 V
• EVM verfügbar
• Schmitt-Trigger-Schaltung ermöglicht langsame Übersetzung am Eingang und geringeres Schaltrauschen an den SCL- und SDA-Eingängen
  • V_hys = 0,18 V typ. bei 1,8 V
  • V_hys = 0,25 V typ. bei 2,5 V
  • V_hys = 0,33 V typ. bei 3,3 V
• 5,5-V-tolerante Open-Drain-Ausgänge
• Niedriger Standby-Strom mit Ausschaltfunktion zur zusätzlichen Energieersparnis
• Interner Einschalt-Reset
• Interner Oszillator, keine externen Komponenten erforderlich
• Programmiert mit SMBus-kompatibler I²C Busschnittstellenlogik
• 400 kHz schneller I²C-Bus

TCA9555

Remote 16-Bit-I2C- und SMBus-Remote-E/A-Expander mit Unterbrechungsausgang und Konfigurationsregistern

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• Niedrige Eingangsstromstärke von max. 3 µA
• Expander I²C auf Parallelport
• Open-Drain-Active-Low-Unterbrechungsausgang
• 5-V-tolerante E/A-Anschlüsse
• Kompatibel mit den meisten Mikrocontrollern
• 400 kHz schneller I²C-Bus
• Adressierung durch drei Hardware-Adresspins
  zum Anschluss von bis zu acht Geräten
• Register für Polaritätsumkehrung
• Selbsthaltende Ausgänge mit Hochstrom-Ansteuerungsmöglichkeit
  zur direkten Ansteuerung von LEDs
• Latch-Up-Leistung übersteigt 100 mA
  gemäß JESD 78, Klasse II
• ESD-Schutz übertrifft JESD 22
  • 2000 V Menschmodell (A114-A)
  • 200 V Maschinenmodell (A115-A)
  • 1000 V Geräteentladungsmodell (C101)

TCA7408

8-Bit-Niederspannungs-I2C-E/A-Expander mit Unterbrechungsausgang und Zurücksetzen der E/A-Richtungsregister

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• Betriebsspannungsbereich: 1,65 V bis 3,6 V
• Ermöglicht bidirektionale Spannungspegelumsetzung und GPIO-Erweiterung zwischen:
  • 1,8 V SCL/SDA und 1,8 V, 2,5 V, 3,3 V GPIO-Port
  • 2,5 V SCL/SDA und 1,8 V, 2,5 V, 3,3 V GPIO-Port
  • 3,3 V SCL/SDA und 1,8 V, 2,5 V, 3,3 V GPIO-Port
  • 5 V SCL/SDA und 1,8 V, 2,5 V, 3,3 V GPIO-Port
• Standby-Stromverbrauch <2 µA bei 1,8V
• Aktiver Stromverbrauch:
  • <2 µA bei 1,8 V 100 kHz Takt
  • <5 µA bei 1,8 V 400 kHz Takt
• 100 kHz, 400-kHz Schneller Modus
• Interner Power-On-Reset- und Watchdog-Timer
• Ausfallsichere I²C-, INT- und RESET-Leitungen
• Rauschfilter an SCL/SDA und Eingängen
• Schmitt-Trigger-Schaltung ermöglicht langsame Übersetzung am Eingang und geringeres Schaltrauschen an den SCL- und SDA-Eingängen
  • V_hys = 0,18 V typ. bei 1,8 V
  • V_hys = 0,25 V typ. bei 2,5 V
  • V_hys = 0,33 V typ. bei 3,3 V
• Active-Low-Reset-Eingang (RESET)
• Open-Drain-Active-Low-Unterbrechungseingang (INT)

TCA9509

I2C-Bus-Repeater mit Pegelumsetzung

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• Bidirektionaler Zweikanalpuffer
• I²C-Bus und SMBus-kompatibel
• Versorgungsspannung im Bereich von
  2,7 V bis 5,5 V
• Betriebsspannungsbereich von 0,9 V bis V_CCB – 1 V auf der A-Seite
• Spannungspegelumsetzung von
  0,9 V auf (V_CCB - 1 V) und 2,7 V auf 5,5 V
• Active-High-Repeater-Enable-Eingang
• Benötigt am Anschluss A mit geringerer Spannung keinen externen Pull-up-Widerstand
• Open-Drain-I²C-E/A
• 5,5-V-tolerante I²C-E/A-Anschlüsse für den Betrieb im Mixed-Modus
• Blockierungsfreier Betrieb
• Akzeptiert I²C-Bausteine im Standardmodus und im schnellen Modus sowie mehrere Master
• Unterstützt Arbitrierung und Taktverlängerung über den Repeater
• I²C-Bus-Pins mit hoher Impedanz im ausgeschalteten Zustand
• Unterstützt 400 kHz schnellen I²C-Bus
• Erhältlich als:
  • QFN-Gehäuse 1,6 mm x 1,6 mm, 0,4 mm Höhe, 0,5 mm Raster
  • Industriestandard-MSOP-Gehäuse 3 mm x 3 mm
• Latch-Up-Leistung übersteigt 100 mA gemäß JESD 78, Klasse II
• ESD-Schutz übertrifft JESD 22
  • 2000 V Menschmodell (A114-A)

Umsetzer

Die Möglichkeit, verschiedene Versorgungsspannungspegel auf einer Platine zu mischen, anzupassen und zu unterstützen, macht eine Spannungspegelumsetzung erforderlich. Geräte zur Spannungspegelumsetzung (Pegel-Shifter) nehmen die Herausforderungen an, die sich durch die gleichzeitige Verwendung verschiedener Versorgungsspannungspegel auf derselben Platine ergeben. Texas Instruments bietet das branchenweit umfangreichste Portfolio für Pegelumsetzung, mit dem alle diesbezüglichen Anforderungen erfüllt werden können.

TXS4555

Eine vollständige SIM-Karten-Lösung als Schnittstelle für Wireless-Baseband-Prozessoren

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• Pegelwandler
  • Großer V_CC-Betriebsbereich: 1,65 V bis 3,3 V
  • V_BATT-Bereich von 2,3 bis 5,5 V
• LDO-Regler
  • 50-mA-LDO-Regler mit Enable
  • Wählbare Ausgangsspannung von 1,8 V oder 2,95 V
  • Eingangsspannungsbereich von 2,3 V bis 5,5 V
  • Sehr niedriger Dropout: 100 mV (max.) bei 50 mA

TXS0102

Bidirektionaler-2-Bit-Spannungspeger-Umsetzer für Open-Drain-Anwendungen

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• Kein Signal zur Richtungssteuerung erforderlich
• Max. Datenraten:
  • 24 Mb/s (Push-Pull)
  • 2 Mb/s (Open-Drain)
• Verfügbar im Texas Instruments NanoFree™-Gehäuse
• 1,65 V bis 3,6 V auf Anschluss A und 2,3 V bis 5,5 V auf Anschluss B (V_CCA ≤ V_CCB)

TXB0104

Bidirektionaler 4-Bit-Spannungspegelumsetzer mit automatischer Richtungserkennung und ESD-Schutz bis +/-15 kV

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• 1,2 V bis 3,6 V auf Anschluss A und 1,65 V bis 5,5 V auf Anschluss
  B (V_CCA ≤ V_CCB)
• V_CC Isolationsfunktion – wenn einer der
  V_CC-Eingänge auf Masse liegt, befinden sich beide Ports im
  Hochimpedanzzustand.
• OE-Eingangsschaltung bezogen auf V_CCA
• Geringer Stromverbrauch, 5 µA max. I_CC
• I_off unterstützt Betrieb im partiellen Ruhemodus.
• Latch-Up-Leistung übersteigt 100 mA gemäß JESD 78, Klasse II
• ESD-Schutz übertrifft JESD 22
  • Anschluss A
    • 2500 V Menschmodell (A114-A)
    • 1500 V Geräteentladungsmodell (C101)
  • Anschluss B
    • ±15 kV Menschmodell (A114-B)
    • 1500 V Geräteentladungsmodell (C101)

TXS0104E

Bidirektionaler-4-Bit-Spannungspeger-Umsetzer für Open-Drain-Anwendungen

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• Kein Signal zur Richtungssteuerung erforderlich
• Max. Datenraten:
  • 24 Mb/s (Push-Pull)
  • 2 Mb/s (Open-Drain)
• Verfügbar im Texas Instruments NanoFree™-Gehäuse
• 1,65 V bis 3,6 V auf Anschluss A und 2,3 V bis 5,5 V auf Anschluss B (V_CCA ≤ V_CCB)
• Keine sequentielle Stromversorgung erforderlich – V_CCA oder V_CCB kann zuerst hochgefahren werden
• Latch-Up-Leistung übersteigt 100 mA gemäß JESD 78, Klasse II
• ESD-Schutz übertrifft JESD 22
  • Anschluss A: 2000 V Menschmodell (A114-B), 200 V Maschinenmodell (A115-A), 1000 V Geräteentladungsmodell (C101)
  • Anschluss B: 2000 V Menschmodell (A114-B), 200 V Maschinenmodell (A115-A), 1000 V Geräteentladungsmodell (C101)
• IEC 61000-4-2 ESD (Anschluss B)
  • ± 8 kV Kontaktentladung
  • ± 10 kV Luftspaltentladung

SN74LVC1T45

Einzelbit-Bus-Transceiver mit zwei Versorgungen, konfigurierbarer Spannungsumsetzung und Tri-State-Ausgängen

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• Verfügbar im Texas Instruments NanoFree™-Gehäuse
• Vollständig konfigurierbares Doppelschienen-Design ermöglicht den
  Betrieb jedes Ports über den gesamten Versorgungsspannungsbereich von 1,65 V bis 5,5 V.
• V_CC-Isolationsfunktion – wenn einer der V_CC-Eingänge auf Masse liegt, befinden sich
  beide Ports im Hochimpedanzzustand.
• DIR-Eingangsschaltung bezogen auf V_CCA
• Geringer Stromverbrauch, 4 µA max. I_CC
• ±24 mA Ausgangsansteuerung bei 3,3 V
• I_off unterstützt Betrieb im partiellen Ruhemodus.
• Max. Datenraten:
  • 420 Mb/s (Umsetzung 3,3 V auf 5 V)
  • 210 Mb/s (Umsetzung auf 3,3 V)
  • 140 Mb/s (Umsetzung auf 2,5 V)
  • 75 Mb/s (Umsetzung auf 1,8 V)
• Latch-Up-Leistung übersteigt 100 mA gemäß JESD 78, Klasse II
• ESD-Schutz übertrifft JESD 22
  • 2000 V Menschmodell (A114-A)
  • 200 V Maschinenmodell (A115-A)
  • 1000 V Geräteentladungsmodell (C101)

SN74AVC2T45

Zwei-Bit-Bus-Transceiver mit zwei Versorgungen, konfigurierbarer Spannungsumsetzung und Tri-State-Ausgängen

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• Verfügbar im Texas Instruments NanoFree™-Gehäuse
• Pegel der Steuereingänge V_IH/V_IL bezogen auf V_CCA-Spannung
• Voll konfigurierbares Doppelschienen-Design ermöglicht den Betrieb jedes Ports über den gesamten Versorgungsspannungsbereich von 1,2 V bis 3,6 V.
• E/A-Anschlüsse sind 4,6-V-tolerant
• I_off unterstützt Betrieb im partiellen Ruhemodus.
• Max. Datenraten:
  • 500 Mb/s (Umsetzung 1,8 V auf 3,3 V)
  • 320 Mb/s (Umsetzung < 1,8 V auf 3,3 V)
  • 320 Mb/s (Umsetzung auf 2,5 V oder 1,8 V)
  • 280 Mb/s (Umsetzung auf 1,5 V)
  • 240 Mb/s (Umsetzung auf 1,2 V)
• Latch-Up-Leistung übersteigt 100 mA gemäß JESD 78, Klasse II
• ESD-Schutz übertrifft JESD 22
  • 8000 V Menschmodell (A114-A)
  • 200 V Maschinenmodell (A115-A)
  • 1000 V Geräteentladungsmodell (C101)

SN74AUP1T97

Spannungsumsetzer mit einer Versorgung

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• Verfügbar im Texas Instruments NanoStar™-Gehäuse
• Spannungsumsetzer mit einer Versorgung
• 1,8 V auf 3,3 V (bei V_CC = 3,3 V)
• 2,5 V auf 3,3 V (bei V_CC = 3,3 V)
• 1,8 V auf 2,5 V (bei V_CC = 2,5 V)
• 3,3 V auf 2,5 V (bei V_CC = 2,5 V)
• Neun konfigurierbare Gatter-Logikfunktionen
• Die Schmitt-Trigger-Eingänge weisen Eingangsrauschen ab und bieten eine
  höhere Integrität des Ausgangssignals
• I_off unterstützt den partiellen Abschaltmodus bei
  niedrigem Leckstrom (0,5 µA)
• Sehr niedriger statischer und dynamischer Stromverbrauch
• Verfügbare bleifreie Gehäuse: SON (DRY oder DSF),
  SOT-23 (DBV), SC-70 (DCK) und NanoStar WCSP
• Latch-Up-Leistung übersteigt 100 mA gemäß JESD 78, Klasse II
• ESD-Schutz getestet gemäß JESD 22
  • 2000 V Menschmodell
    (A114-B, Klasse II)
  • 1000 V Geräteentladungsmodell (C101)
• Ähnliche Bausteine: SN74AUP1T98, SN74AUP1T57 und SN74AUP1T58

TXB0304

Bidirektionaler 4-Bit-Umsetzer mit automatischer Erkennung der Richtung mit vollsymmetrischem Bereich 0,9 V bis 3,6 V

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• Vollsymmetrische Eingangsspannungen. 0,9 V bis 3,6 V auf Anschluss A und 0,9 V bis 3,6 V
• V_CC Isolationsfunktion – wenn einer der
  V_CC-Eingänge auf Masse liegt, befinden sich beide Ports im Hochimpedanzzustand.
• OE-Eingangsschaltung bezogen auf V_CCA
• Geringer Stromverbrauch, 5 µA max. (I_CCA oder I_CCB)
• I_off unterstützt Betrieb im partiellen Ruhemodus.
• Latch-Up-Leistung übersteigt 100 mA gemäß JESD 78, Klasse II
• ESD-Schutz übertrifft JESD 22
  • 8000 V Menschmodell (A114-A)
  • 1000 V Geräteentladungsmodell (C101)