1200-V-SiC-MOSFETs der Serie QSiC™ (Generation 3)

Der 1200-V-QSiC-MOSFET der dritten Generation von SemiQ aus Siliziumkarbid (SiC) wurde für Hochspannungsanwendungen entwickelt, bei denen ein höherer Wirkungsgrad, eine kompakte Größe und bessere thermische Funktion gefordert sind. Er ist etwa 20 % kleiner als die Vorgängergeneration, reduziert Schaltverluste und unterstützt den Betrieb mit über 1400 V. Dieser Baustein eignet sich ideal für Elektrofahrzeug-Ladestationen, Solarwechselrichter, Systeme für erneuerbare Energien, industrielle Stromversorgungen, Motorantriebe und Induktionsheizungen und trägt dazu bei, den Platzbedarf von Systemen zu verringern und gleichzeitig die Leistungsdichte und Zuverlässigkeit zu verbessern.

Der SiC-MOSFET der Generation 3 ist als nackter Chip oder in SOT-227-, TSPak- und TO-247-4L-Gehäusen erhältlich und bietet Flexibilität für eine Vielzahl von Stromversorgungsdesigns. Mit seiner bewährten SiC-Leistung und robusten Bauweise unterstützt er effiziente Leistungselektronik der nächsten Generation sowohl in der Industrie als auch im Bereich der erneuerbaren Energien.