Name: GP3T080A120H
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GP3T080A120H-ND
Price: 6.3684 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 1200 V 32 A (Tc) 147W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4

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GP3T080A120H
DigiKey-Teilenr.	1560-GP3T080A120H-ND
Hersteller	SemiQ
Hersteller-Teilenummer	GP3T080A120H
Beschreibung	GEN3 1200V, 80M SIC MOSFET, TO-2
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 32 A (Tc) 147W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 100mOhm bei 10A, 18V
Herst. SemiQ	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 5mA
Serie QSiC™	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 53 nC @ 18 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) +22V, -8V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1351 pF @ 1000 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 147W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 32 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-4
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V	Gehäuse / Hülle TO-247-4

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1	€ 5,22000	€ 5,22
10	€ 3,48500	€ 34,85
100	€ 2,50390	€ 250,39
500	€ 2,08586	€ 1 042,93
1 000	€ 1,95164	€ 1 951,64
2 000	€ 1,86978	€ 3 739,56

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