Name: GP3T020A120H
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GP3T020A120H-ND
Price: 13.0418 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 1200 V 115 A (Tc) 429W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4

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GP3T020A120H
DigiKey-Teilenr.	1560-GP3T020A120H-ND
Hersteller	SemiQ
Hersteller-Teilenummer	GP3T020A120H
Beschreibung	GEN3 1200V, 20M SIC MOSFET, TO-2
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 115 A (Tc) 429W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 25mOhm bei 40A, 18V
Herst. SemiQ	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 20mA
Serie QSiC™	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 234 nC @ 18 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) +22V, -8V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6078 pF @ 1000 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 429W (Tc)
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 115 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247-4
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V	Gehäuse / Hülle TO-247-4

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 10,69000	€ 10,69
30	€ 6,41333	€ 192,40
120	€ 5,47517	€ 657,02
510	€ 4,83380	€ 2 465,24

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