Name: GP3T020A120H
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GP3T020A120H-ND
Price: 12.3952 EUR
Availability: OutOfStock

Neues Produkt

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

GP3T020A120H
DigiKey-Teilenr.	1560-GP3T020A120H-ND
Hersteller	SemiQ
Hersteller-Teilenummer	GP3T020A120H
Beschreibung	GEN3 1200V, 20M SIC MOSFET, TO-2
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 115 A (Tc) 429W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	SemiQ
Serie	QSiC™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	115 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	25mOhm bei 40A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 20mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	234 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+22V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6078 pF @ 1000 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	429W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-4
Gehäuse / Hülle	TO-247-4

Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

0 auf Lager

Informationen zur Lieferzeit

Bestandsbenachrichtigung anfordern

Menge

Alle Preise in EUR

Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 10,16000	€ 10,16
10	€ 7,05200	€ 70,52
100	€ 5,30040	€ 530,04
500	€ 4,91230	€ 2 456,15

Standardverpackung des Herstellers

Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.