Renesas Electronics Corporation

N-Kanal Leistungs-MOSFETs RBA300N10EANS-3UA02/RBA300N10EHPF-5UA02

Die N-Kanal-MOSFETs von Renesas erreichen eine Reduzierung des Durchlasswiderstands, der Qg-Eigenschaften, von Qgd und des Volumens

Abbildung: N-Kanal Leistungs-MOSFETs RBA300N10EANS-3UA02/RBA300N10EHPF-5UA02 der Renesas Electronics Corporation Die N-Kanal-MOSFETs RBA300N10EANS-3UA02 und RBA300N10EHPF-5UA02 von Renesas sind für Hochstrom-Schaltanwendungen ausgelegt. Dieses Produkt verwendet den neuesten Wafer-Prozess namens ANM3. Im Vergleich zum herkömmlichen ANM2 erreicht der ANM3 eine Reduzierung des Einschaltwiderstands um 30 %, eine Reduzierung der Qg-Eigenschaften um 10 % und eine Reduzierung von Qgd um 40 %. Das Gehäuse erreicht eine 50-prozentige Volumenreduzierung im Vergleich zum herkömmlichen TO-263, was zur Verkleinerung von Kundengeräten beiträgt.

Anwendungen/Zielmärkte
  • Motorsteuerung
  • Batteriemanagementsysteme (BMS)
  • Energiemanagement
  • Ladeanwendungen
Merkmale/Funktionen
  • Niedrige Verlustleistung durch geringen Durchlasswiderstand
  • Verwendet dasselbe Gehäuse wie die Konkurrenzprodukte
  • Äquivalente Wärmeleistung und geringe Spannungsspitzen im Vergleich zur Konkurrenz

RBA300N10EANS-3UA02/RBA300N10EHPF-5UA02 N-Channel Power MOSFETs

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
100V-300A-N-CHANNEL MOSFET FOR HRBA300N10EANS-3UA02#GB0100V-300A-N-CHANNEL MOSFET FOR H2455 - Sofort$4.50Details anzeigen
100V-300A-N-CHANNEL MOSFET FOR HRBA300N10EHPF-5UA02#GB0100V-300A-N-CHANNEL MOSFET FOR H915 - Sofort$4.43Details anzeigen
Veröffentlicht: 2024-12-19