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Extrem schnell schaltender Siliziumkarbid(SiC)-MOSFET – Serie LSIC1MO120E
Littelfuse bietet die 1200-V-N-Kanal-Anreicherungs-SiC-MOSFET-Serie LSIC1MO120E an
Der SiC-MOSFET LSIC1MO120E von Littelfuse bietet eine Kombination von niedrigem Betriebswiderstand und extrem niedrigen Schaltverlusten, die bei traditionellen Leistungstransistoren der 1200-V-Klasse nicht verfügbar ist. Die robuste Konstruktion dieses ersten SiC-MOSFET eignet sich für eine breitere Palette von Anwendungen mit hohen Temperaturen. Kleinere Kühlkörper und eine höhere Leistungsdichte führen zu höherer Effizienz und kleinerem passiven Filter und eine höhere Leistungsdichte ermöglicht höhere Schaltfrequenzen. Die Komponente verfügt über eine kleinere Chipgröße für die jeweiligen Spannungs-/Stromnennwerte.
Stand des SiC-MOSFET: Komponentenentwicklung, Technologieleistung und Marktchancen
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Silicon Carbide (SiC) Ultra-Fast Switching MOSFET
| Abbildung | Hersteller-Teilenummer | Beschreibung | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Verfügbare Menge | Preis | Details anzeigen | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | LSIC1MO120E0080 | SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3 | 1200 V | 39 A (Tc) | 369 - Sofort | $16.78 | Details anzeigen |
| | LSIC1MO120E0120 | SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3 | 1200 V | 27 A (Tc) | 0 - Sofort | See Page for Pricing | Details anzeigen |
| | LSIC1MO120E0160 | SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3 | 1200 V | 22 A (Tc) | 2221 - Sofort 1350 - Lagerbestand des Herstellers | $10.18 | Details anzeigen |
Veröffentlicht: 2018-01-05
Italien