LFUSCD20120B
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
LFUSCD20120B
1200 V, 80 mOhm SiC MOSFET

LSIC1MO120E0160

DigiKey-Teilenr.
F11005-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
LSIC1MO120E0160
Beschreibung
SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3
Standardlieferzeit des Herstellers
29 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 22 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
200mOhm bei 10A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
57 nC @ 20 V
Vgs (Max.)
+22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
870 pF @ 800 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247AD
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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