IXYS

Evaluierungskit für SiC-Leistungs-MOSFET-Dioden-Gate-Treiber

Die Gate-Treiber-Evaluierungsplatine von IXYS, einem Unternehmen der Littelfuse-Gruppe, analysiert die Auswirkungen von SiC-Designs auf Systemebene

Abbildung des Evaluierungskits für SiC-Leistungs-MOSFET und Dioden-Gate-TreiberIXYS, ein Unternehmen der Littelfuse-Gruppe, hat eine Gate-Evaluierungsplatine für Siliziumkarbid-MOSFETs und -Dioden entwickelt. Das GDEV-System besteht aus einer Hauptplatine, in die Gate-Treiber-Modulplatinen eingesetzt werden können, mit deren Hilfe Benutzer die Auswirkungen von SiC-basierten Designs auf Systemebene analysieren können. Es bietet die Möglichkeit, die Leistung verschiedener Gate-Treiber-Halbbrücken-Konfigurationslösungen unter genau definierten und optimierten Testbedingungen zu vergleichen. Zusätzlich bietet das GDEV Test-Gate-Ansteuerschaltungen unter Dauerbedingungen an, um die thermischen Leistungen des Gate-Treibers und die Störfestigkeit zu bewerten.

Ressourcen

Merkmale
  • Evaluieren Sie den Dauerbetrieb von SiC-Leistungs-MOSFETs und -Dioden bei Nennspannung und Nennstrom.
  • Vergleichen Sie verschiedene Gate-Treiber-Lösungen unter genau definierten und optimierten Testbedingungen.
  • Tesen Sie Gate-Ansteuerschaltungen unter Dauerbedingungen für die Bewertung der thermischen Leistungen und der Störfestigkeit des Gate-Treibers.
  • Analysieren Sie Auswirkungen auf Systemebene in SiC-Konstruktionen
    • Effizienzsteigerung
    • EMI-Emissionen
    • Passive Komponenten (Größe, Kosten und Gewicht)

SiC Power MOSFET and Diode Gate Drive Evaluation Board Kit

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
EVAL BOARD FOR SIC DIODESLF-SIC-EVB-GDEV1EVAL BOARD FOR SIC DIODES0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen

Associated Littelfuse SiC Power Products

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
DIODE SIL CARBIDE 650V 27A TO263LSIC2SD065D10ADIODE SIL CARBIDE 650V 27A TO263428 - Sofort
2400 - Lagerbestand des Herstellers		$4.63Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3LSIC1MO120E0080SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3369 - Sofort$16.78Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3LSIC1MO120E0120SICFET N-CH 1200V 27A TO247-30 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3LSIC1MO120E0160SICFET N-CH 1200V 22A TO247-32221 - Sofort
1350 - Lagerbestand des Herstellers		$10.18Details anzeigen
SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3LLSIC1MO170E1000SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L0 - Sofort$3.06Details anzeigen

Associated IXYS SiC Power Products

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
SICFET N-CH 1200V 47A SOT227BIXFN50N120SICSICFET N-CH 1200V 47A SOT227B0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
SICFET N-CH 1200V 48A SOT227BIXFN50N120SKSICFET N-CH 1200V 48A SOT227B0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
SICFET N-CH 1200V 68A SOT227BIXFN70N120SKSICFET N-CH 1200V 68A SOT227B0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
SICFET N-CH 1.2KV 90A TO268AAMCB60I1200TZ-TUBSICFET N-CH 1.2KV 90A TO268AA0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
MOSFET 2N-CH 1200V 55A SMPDMCB40P1200LB-TUBMOSFET 2N-CH 1200V 55A SMPD0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
MOSFET 2N-CH 900V SOT227BIXFN130N90SKMOSFET 2N-CH 900V SOT227B0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
MOSFET 2N-CH 1200V SOT227BIXFN27N120SKMOSFET 2N-CH 1200V SOT227B0 - Sofort$29.69Details anzeigen
SICFET N-CH 1700V 90A SOT227BIXFN90N170SKSICFET N-CH 1700V 90A SOT227B0 - Sofort$240.14Details anzeigen
Veröffentlicht: 2019-12-17

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