Infineon Technologies

GaN-Leistungstransistoren

Hocheffiziente, selbstsperrende CoolGaN™-Transistoren von Infineon ermöglichen Leistungsdichte auf neuem Niveau

Abbildung: GaN-Leistungstransistoren von Infineon Die CoolGaN-Transistoren von Infineon zeichnen sich durch schnelles Ein- und Ausschalten, minimale Schaltverluste und eine Vielzahl von Gehäuseoptionen aus. CoolGaN erfüllt strenge Kriterien, übertrifft die Branchenstandards und verbessert die Gesamtleistung des Systems erheblich, während die Systemkosten minimiert und die Benutzerfreundlichkeit erhöht werden.

Merkmale/Funktionen
  • E-Modus-Transistoren mit 60 V bis 120 V
  • Optionen für beidseitig und unterseitig gekühlte Gehäuse
  • Keine Sperrladung
  • Rückleitfähigkeit
  • Geringe Gate-Ladung, geringe Ausgangsladung
  • Über die JEDEC-Standards hinaus qualifiziert
Vorteile
  • Außergewöhnliche Leistungsdichte
  • Höchste Effizienz
  • Verbessertes Wärmemanagement
  • Exzellente Zuverlässigkeit
  • Gesenkte Materialkosten
  • Schnelle Markteinführung dank einsatzbereiter Referenzboards
Anwendungen/Zielmärkte
  • Audioverstärker
  • Batteriebetriebene Geräte
  • Drohnen
  • Photovoltaik
  • Robotik
  • Schaltnetzteile
  • Telekommunikationsinfrastruktur
  • USB-C®-Adapter und -Ladegeräte
Ressourcen

GaN Power Transistors

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
MV GAN DISCRETESIGC033S101XTMA1MV GAN DISCRETES4310 - Sofort$3.71Details anzeigen
MV GAN DISCRETESIGC033S10S1XTMA1MV GAN DISCRETES1917 - Sofort$3.71Details anzeigen
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MV GAN DISCRETESIGB110S10S1XTMA1MV GAN DISCRETES0 - Sofort$1.94Details anzeigen
MV GAN DISCRETESIGC019S06S1XTMA1MV GAN DISCRETES3300 - Sofort$3.71Details anzeigen
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MV GAN DISCRETESIGC037S12S1XTMA1MV GAN DISCRETES3025 - Sofort$3.71Details anzeigen
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Veröffentlicht: 2025-07-22

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Datum der Veröffentlichung: 2025-06-25