Leistungstreibermodule

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Verfügbare Menge
Preis
Serie
Verpackung
Produktstatus
Typ
Konfiguration
Strom
Spannung
Spannung - Isolation
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
52 VQFN
MOSFET IPM 650V 55A 52-VQFN
Texas Instruments
2 085
Vorrätig
1 : € 18,84000
Gurtabschnitt (CT)
2 000 : € 11,84941
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET
Halbbrückenwechselrichter
55 A
650 V
-
-
-
Oberflächenmontage
52-VQFN mit freiliegendem Pad
SPM27CC
IGBT IPM 600V 20A 27-PWRDIP MOD
onsemi
353
Vorrätig
1 : € 19,58000
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3 Phasen
20 A
600 V
2500Vrms
-
-
Durchkontaktierung
27-PowerDIP-Modul, versetzte Anschlüsse
SPM27CC
IGBT IPM 600V 30A 27-PWRDIP MOD
onsemi
286
Vorrätig
1 : € 21,99000
Stange
Stange
Nicht für Neukonstruktionen
IGBT
3 Phasen
30 A
600 V
2500Vrms
-
-
Durchkontaktierung
27-PowerDIP-Modul, versetzte Anschlüsse
CIPOS-Mini_24
MOSFET IPM 1.2KV 35A 24-PWRDIP
Infineon Technologies
200
Vorrätig
1 : € 93,83000
Stange
Stange
Nicht für Neukonstruktionen
MOSFET
3-phasiger Wechselrichter
35 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Durchkontaktierung
24-PowerDIP-Modul, versetzte Anschlüsse
39-VFQFN
MOSFET IPM 30V 70A 39-PWRVFQFN
onsemi
2 537
Vorrätig
1 : € 4,54000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 1,59025
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET
1-phasig
70 A
30 V
-
-
-
Oberflächenmontage
39-PowerVFQFN
FSB50550AS
IPM SPM5 V4 RC 600V 4A
onsemi
1 272
Vorrätig
1 : € 7,04000
Gurtabschnitt (CT)
450 : € 4,17882
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
IGBT
3-phasiger Wechselrichter
4 A
600 V
1500Vrms
-
-
Oberflächenmontage
-
30-QFN
MOSFET IPM 650V 20A 30-PWRVQFN
Navitas Semiconductor, Inc.
2 851
Vorrätig
1 : € 7,62000
Gurtabschnitt (CT)
5 000 : € 4,36409
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET
Halbbrücke
20 A
650 V
-
-
-
Oberflächenmontage
30-PowerVQFN
308
Vorrätig
1 : € 9,00000
Stange
-
Stange
Nicht für Neukonstruktionen
IGBT
3-phasiger Wechselrichter
5 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
23-poliges PowerDIP-Modul (0,748", 19,00mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 10A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
203
Vorrätig
1 : € 11,08000
Stange
Stange
Nicht für Neukonstruktionen
IGBT
3 Phasen
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
24-PowerDIP-Modul, versetzte Anschlüsse
26 PowerDIP
IGBT IPM 600V 15A 26-PWRDIP MOD
STMicroelectronics
221
Vorrätig
1 : € 12,41000
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3-phasiger Wechselrichter
15 A
600 V
1500Vrms
-
-
Durchkontaktierung
26-poliges PowerDIP-Modul (1,157", 29,40mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 15A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
283
Vorrätig
1 : € 12,54000
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3 Phasen
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
24-PowerDIP-Modul, versetzte Anschlüsse
FNx4x060x2
IGBT IPM 600V 15A 26-PWRDIP MOD
onsemi
744
Vorrätig
1 : € 13,20000
Stange
Stange
Nicht für Neukonstruktionen
IGBT
3 Phasen
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
26-poliges PowerDIP-Modul (1,024", 26,00mm)
FNx4x060x2
IGBT IPM 600V 10A 26-PWRDIP MOD
onsemi
245
Vorrätig
1 : € 13,20000
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3 Phasen
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
26-poliges PowerDIP-Modul (1,024", 26,00mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 15A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
283
Vorrätig
1 : € 13,69000
Stange
Stange
Nicht für Neukonstruktionen
IGBT
3 Phasen
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
24-PowerDIP-Modul, versetzte Anschlüsse
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 30A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
1 120
Vorrätig
1 : € 17,12000
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3 Phasen
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
24-PowerDIP-Modul, versetzte Anschlüsse
38-PowerDIP-Module-24-Leads
IGBT IPM 600V 15A 38-PWRDIP MOD
onsemi
373
Vorrätig
800
Fabrik
1 : € 17,80000
Stange
-
Stange
Aktiv
IGBT
3-phasiger Wechselrichter
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
38-PowerDIP-Modul, versetzte Anschlüsse, 24 Anschlüsse
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 20A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
177
Vorrätig
1 : € 19,46000
Stange
Stange
Nur verfügbar bis
IGBT
2 Phasen
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
24-PowerDIP-Modul, versetzte Anschlüsse
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 30A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
267
Vorrätig
1 : € 19,70000
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3 Phasen
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
24-PowerDIP-Modul, versetzte Anschlüsse
1 397
Vorrätig
1 : € 21,04000
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3 Phasen
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
-
24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
IGBT IPM 600V 35A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
120
Vorrätig
1 : € 21,58000
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3-phasiger Wechselrichter
35 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
24-PowerDIP-Modul, versetzte Anschlüsse
27-DIP Module
IGBT IPM 600V 40A 27-PWRDIP MOD
onsemi
963
Vorrätig
1 : € 24,24000
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3-phasiger Wechselrichter
40 A
600 V
2500Vrms
-
-
Durchkontaktierung
27-PowerDIP-Modul, versetzte Anschlüsse
NFAM5065L4B_top
IGBT IPM 650V 50A 39-PWRDIP MOD
onsemi
101
Vorrätig
1 : € 25,83000
Stange
-
Stange
Aktiv
IGBT
3-phasiger Wechselrichter
50 A
650 V
2500Vrms
-
-
-
39-poliges PowerDIP-Modul (1,413", 35,90mm), 29 Anschlüsse
IM818LCCXKMA1-VIEW-B
IGBT IPM 1.2KV 20A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
275
Vorrätig
1 : € 27,77000
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3-phasiger Wechselrichter
20 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Durchkontaktierung
24-PowerDIP-Modul, versetzte Anschlüsse
IM12B20EC1XKMA1
IGBT IPM 1.2KV 30A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
272
Vorrätig
1 : € 29,20000
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3-phasiger Wechselrichter
30 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Durchkontaktierung
24-PowerDIP-Modul, versetzte Anschlüsse
FNB34060T6
IGBT IPM 1.2KV 30A 27-PWRDIP MOD
onsemi
180
Vorrätig
1 : € 30,67000
Stange
-
Stange
Aktiv
IGBT
3-phasiger Wechselrichter
30 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Durchkontaktierung
27-PowerDIP-Modul, versetzte Anschlüsse
Angezeigt werden
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Leistungstreibermodule


Leistungstreibermodule bieten die physische Hülle für Leistungskomponenten, in der Regel IGBTs und MOSFETs in einer Halbbrücke oder in ein-, zwei- oder dreiphasigen Konfigurationen. Die Leistungshalbleiter oder Chips werden auf ein Substrat gelötet oder gesintert, das die Leistungshalbleiter trägt und bei Bedarf elektrischen und thermischen Kontakt sowie elektrische Isolierung bietet. Leistungsmodule bieten eine höhere Leistungsdichte und sind in vielen Fällen zuverlässiger und leichter zu kühlen.