Name: SI4931DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4931DY-T1-GE3TR-ND
Price: 2.9646 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI4931DY-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI4931DY-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI4931DY-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI4931DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI4931DY-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 12V 6,7A 1,1W Oberflächenmontage 8-SOIC
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI4931DY-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 P-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	6,7A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	18mOhm bei 8,9A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 350µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	52nC bei 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	-
Leistung - Max.	1,1W
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-SOIC
Basis-Produktnummer	SI4931