SI4931DY-T1-E3 Vishay Siliconix | FET- und MOSFET-Arrays

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SI4931DY-T1-E3
DigiKey-Teilenr.	SI4931DY-T1-E3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI4931DY-T1-E3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI4931DY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI4931DY-T1-E3
Beschreibung	MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 12V 6,7A 1,1W Oberflächenmontage 8-SOIC
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI4931DY-T1-E3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 18mOhm bei 8,9A, 4,5V
Hersteller Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 350µA
Serie TrenchFET®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 52nC bei 4,5V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Leistung - Max. 1,1W
Status der Komponente Obsolet	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Konfiguration 2 P-Kanal (zweifach)	Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
FET-Merkmal Logikpegel-Gate	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SOIC
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12V	Basis-Produktnummer SI4931
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 6,7A

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Ersatzartikel (2)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 1,61000	€ 1,61
10	€ 1,02200	€ 10,22

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SI4931DY-T1-E3