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IRFIB5N65APBF ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IRFIB5N65APBF | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IRFIB5N65APBF-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IRFIB5N65APBF |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 5,1 A (Tc) 60W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IRFIB5N65APBF Modelle |
Produkteigenschaften
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Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 48 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±30V |
Status der Komponente Obsolet | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1417 pF @ 25 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 60W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3 |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 930mOhm bei 3,1A, 10V | Basis-Produktnummer |
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Ersatzartikel (6)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHA6N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 1 992 | 742-SIHA6N65E-GE3CT-ND | € 2,52000 | Vom Hersteller empfohlen |
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