N-Kanal 650 V 10 A (Tc) 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FP
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STF10N65K3

DigiKey-Teilenr.
497-12562-5-ND
Hersteller
STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer
STF10N65K3
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP
Standardlieferzeit des Herstellers
15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 10 A (Tc) 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FP
Datenblatt
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EDA/CAD-Modelle
STF10N65K3 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
STMicroelectronics
Serie
SuperMESH3™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
10 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1Ohm bei 3,6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1180 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
35W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220FP
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer
STF10
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