IRFB9N65APBF Vishay Siliconix | Einzelne FETs, MOSFETs

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IRFB9N65APBF
DigiKey-Teilenr.	IRFB9N65APBF-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	IRFB9N65APBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 8,5 A (Tc) 167W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRFB9N65APBF Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 48 nC @ 10 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) ±30V
Status der Komponente Obsolet	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1417 pF @ 25 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 167W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 8,5 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 930mOhm bei 5,1A, 10V	Basis-Produktnummer IRFB9

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