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N-Kanal 650 V 6,4 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
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STP9NK65Z

DigiKey-Teilenr.
STP9NK65Z-ND
Hersteller
STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer
STP9NK65Z
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 6.4A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 6,4 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
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Kategorie
Herst.
STMicroelectronics
Serie
SuperMESH™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
6,4 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,2Ohm bei 3,2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1145 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP9NK65
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