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N-Kanal 600 V 4 A (Ta) 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK4A60D(STA4,Q,M)

DigiKey-Teilenr.
TK4A60D(STA4QM)-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
TK4A60D(STA4,Q,M)
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 4A TO220SIS
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 4 A (Ta) 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
TK4A60D(STA4,Q,M) Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,4V bei 1mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
12 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
600 pF @ 25 V
Status der Komponente
Obsolet
Verlustleistung (max.)
35W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220SIS
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,7Ohm bei 2A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (6)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
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Nicht stornierbar / keine Rückgabe