
STF6N65M2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 497-15035-5-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | STF6N65M2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 4A TO220FP |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 4 A (Tc) 20W (Tc) Durchkontaktierung TO-220FP |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | STF6N65M2 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 9.8 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±25V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 226 pF @ 100 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 20W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220FP |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,35Ohm bei 2A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| STF11N65M2 | STMicroelectronics | 0 | 497-15034-5-ND | € 0,72745 | Vom Hersteller empfohlen |
| IPA80R1K4CEXKSA1 | Rochester Electronics, LLC | 134 | 2156-IPA80R1K4CEXKSA1-IT-ND | € 1,90381 | Ähnlich |

