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N-Kanal 600 V 13 A (Ta) 50W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK13A60D(STA4,Q,M)

DigiKey-Teilenr.
TK13A60DSTA4QM-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
TK13A60D(STA4,Q,M)
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 13 A (Ta) 50W (Tc) Durchkontaktierung TO-220SIS
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 1mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
40 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2300 pF @ 25 V
Status der Komponente
Obsolet
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220SIS
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
430mOhm bei 6,5A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
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