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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
GT30J65MRB,S1E | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 264-GT30J65MRBS1E-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | GT30J65MRB,S1E |
Beschreibung | IGBT 650V 60A TO-3P |
Standardlieferzeit des Herstellers | 12 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | IGBT 650 V 60 A 200 W Durchkontaktierung TO-3P(N) |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | GT30J65MRB,S1E Modelle |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Gate-Ladung 70 nC |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage | Td (on/off) bei 25°C 75ns/400ns |
Verpackung Stange | Testbedingung 400V, 15A, 56Ohm, 15V |
Status der Komponente Aktiv | Umkehrerholungszeit (trr) 200 ns |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650 V | Betriebstemperatur 175°C (TJ) |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60 A | Montagetyp Durchkontaktierung |
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic 1,8V bei 15V, 30A | Gehäuse / Hülle TO-3P-3, SC-65-3 |
Leistung - Max. 200 W | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-3P(N) |
Schaltenergie 1,4mJ (Ein), 220µJ (Aus) | Basis-Produktnummer |
Eingangstyp Standard |
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Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 3,55000 | € 3,55 |
| 25 | € 2,00600 | € 50,15 |
| 100 | € 1,63650 | € 163,65 |
| 500 | € 1,34030 | € 670,15 |
| 1 000 | € 1,24517 | € 1 245,17 |
| 2 000 | € 1,16522 | € 2 330,44 |
| 5 000 | € 1,12824 | € 5 641,20 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 3,55000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 4,33100 |
