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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
GT30J121(Q) | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | GT30J121(Q)-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | GT30J121(Q) |
Beschreibung | IGBT 600V 30A 170W TO3PN |
Standardlieferzeit des Herstellers | 18 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | IGBT 600 V 30 A 170 W Durchkontaktierung TO-3P(N) |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | GT30J121(Q) Modelle |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Schaltenergie 1mJ (Ein), 800µJ (Aus) |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage | Eingangstyp Standard |
Verpackung Stange | Td (on/off) bei 25°C 90ns/300ns |
Status der Komponente Aktiv | Testbedingung 300V, 30A, 24Ohm, 15V |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30 A | Gehäuse / Hülle TO-3P-3, SC-65-3 |
Strom - Kollektor, gepulst (Icm) 60 A | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-3P(N) |
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic 2,45V bei 15V, 30A | Basis-Produktnummer |
Leistung - Max. 170 W |
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 3,94000 | € 3,94 |
| 10 | € 2,59400 | € 25,94 |
| 100 | € 1,83310 | € 183,31 |
| 500 | € 1,50838 | € 754,19 |
| 1 000 | € 1,40410 | € 1 404,10 |
| 2 000 | € 1,31646 | € 2 632,92 |
| 5 000 | € 1,29610 | € 6 480,50 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 3,94000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 4,80680 |
