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N-Kanal 600 V 30 A (Tc) 210W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
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STP45N60DM6

DigiKey-Teilenr.
497-18275-ND
Hersteller
STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer
STP45N60DM6
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 30A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 30 A (Tc) 210W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STP45N60DM6 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
STMicroelectronics
Serie
MDmesh™ DM6
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
30 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
99mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,75V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1920 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
210W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP45
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