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Parametrisches Äquivalent


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Vorrätig: 0
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Vorrätig: 404
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Vorrätig: 2 332
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Vorrätig: 1 000
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Datenblatt
N-Kanal 600 V 29 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 600 V 29 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung
TO-220AB

SIHP30N60E-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHP30N60E-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHP30N60E-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 29 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung
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 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SIHP30N60E-GE3 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
125mOhm bei 15A, 10V
Herst.
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Serie
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
130 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±30V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2600 pF @ 100 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (12)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
SIHP30N60E-E3Vishay Siliconix0742-SIHP30N60E-E3-ND€ 2,81402Parametrisches Äquivalent
AOT42S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.3 045785-1515-5-ND€ 6,66000Ähnlich
IPP60R099C6XKSA1Infineon Technologies1 496448-IPP60R099C6XKSA1-ND€ 5,81000Ähnlich
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 6,06000€ 6,06
50€ 3,23100€ 161,55
100€ 2,95830€ 295,83
500€ 2,48094€ 1 240,47
1 000€ 2,32772€ 2 327,72
2 000€ 2,28411€ 4 568,22
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