N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 190W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
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STP33N65M2

DigiKey-Teilenr.
497-15560-5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STP33N65M2
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 24A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 190W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
 Datenblatt
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STP33N65M2 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
41.5 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±25V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1790 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
190W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
140mOhm bei 12A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 999
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 4,16000€ 4,16
50€ 2,14200€ 107,10
100€ 1,94700€ 194,70
500€ 1,60538€ 802,69
1 000€ 1,49570€ 1 495,70
2 000€ 1,40352€ 2 807,04
5 000€ 1,37890€ 6 894,50
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:€ 4,16000
Stückpreis mit MwSt.:€ 5,07520